| 講演名 | 2011-05-19 X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 田中 大樹, 飯田 大輔, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 本研究では有機金属化合物気相成長法を用いた窒化物半導体の結晶成長においてX線その場観察技術の導入が可能かを検討した。MOVPE装置にBeのViewportを作り、さらにX線源およびディテクター部分を工夫することによって、一般的なX線回折測定の2θ/ωスキャンと同等の測定を結晶成長中に1秒間で測定可能なことを確認した。本報告では、窒化物半導体の結晶成長中その場観察結果およびGaInN量子井戸を1120℃まで昇温した時の変化について検討したのであわせて報告する。 |
| 抄録(英) | Nitride-based high-brightness light emitting diodes and high-power laser diodes have been achieved as a result of several breakthroughs. For further device performance improvement, it is necessary to understand the mechanism of crystal growth. Use of an in situ observation system during crystal growth is effective. X-ray diffraction (XRD) obtained many information on crystalline quality. However, although it is a useful in situ technique, it method has serious problems. A typical XRD is required for scanning such as a detector, a stage and/or a tube. Therefore, because the system requires a long time for measurement, it is a difficult to directly apply the in situ measurement system. In this study, we examined the MOVPE growth of nitrides analyzed using a nove in-situ XRD measurement system without scanning. |
| キーワード(和) | X線結晶成長中その場観察 / MOVPE / 窒化物半導体 |
| キーワード(英) | in-situ XRD measurement / MOVPE / Nitride semiconductor |
| 資料番号 | ED2011-17,CPM2011-24,SDM2011-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of nitrides analyzed using a novel in-situ X-ray diffraction system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | X線結晶成長中その場観察 / in-situ XRD measurement |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 大樹 / Daiki TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯田 大輔 / Daisuke IIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-17,CPM2011-24,SDM2011-30 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |