| 講演名 | 2011-05-19 β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 伊藤 駿, 竹田 健一郎, 永田 賢吾, 青島 宏樹, 竹原 孝祐, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 天野 浩, |
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| 抄録(和) | β-Ga_2O_3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基板材料である。本研究では、良質な結晶を得るにあたり、サーマルアニールがβ-Ga_2O_3(100)基板及びGaN、AlGaN成長に与える影響に注目した。サーマルアニールの温度を変えたβ-Ga_2O_3(100)基板上にMOVPE法を用いてGaNおよびAlGaNの作製を行い、その後結晶の評価を行ったので報告する。 |
| 抄録(英) | β-Ga_2O_3 is one of the most attractive substrates for AlGaN-based UV light-emitting-diodes (LEDs). Its transparency up to 260 nm wavelength and n-type conductivity can lead to small absorptions of UV light in β-Ga_2O_3 and possible vertical structures of the LEDs. In this study, we investigated the impact of thermal annealing temperature of the β-Ga_2O_3 substrate. We characterized surface roughness of (100) β-Ga_2O_3 after annealing with different temperatures and crystal qualities of GaN and AlGaN on the (100)β-Ga_2O_3 by MOVPE. |
| キーワード(和) | β-Ga_2O_3(100) / サーマルアニール / GaN / MOVPE |
| キーワード(英) | β-Ga_2O_3(100) / thermal annealing / GaN / MOVPE |
| 資料番号 | ED2011-16,CPM2011-23,SDM2011-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN and AlGaN on β-Ga_2O_3(100) substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | β-Ga_2O_3(100) / β-Ga_2O_3(100) |
| キーワード(2)（和/英） | サーマルアニール / thermal annealing |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 駿 / Shun Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹田 健一郎 / Kenichiro Takeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永田 賢吾 / Kengo Nagata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青島 宏樹 / Hiroki Aoshima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹原 孝祐 / Kosuke Takehara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetuya Takeuchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大理工:名大赤崎記念研究センター Fac. Sci. & Eng., Meijo Univ.:ARC, Nagoya Univ. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名大院工:名大赤崎記念研究センター Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.:ARC, Nagoya Univ. |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-16,CPM2011-23,SDM2011-29 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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