| 講演名 | 2011-05-19 MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 高野 泰, 高木 達也, 見崎 龍, 宮原 亮, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2°オフ基板と4°オフ基板を使用した。4°オフ基板上ではシングルドメインのGaP層を得ることができた。それに対し、2°オフ基板上ではシングルドメインのGaPを得ることは難しかった。2°オフ基板上でも限られた成長条件でGaPを得ることができたが、副格子の向きが4°オフ基板上の副格子の向きに対し90°回転していた。成長初期のGaPの形状を原子間力顕微鏡で調べた。 |
| 抄録(英) | GaP layers were grown on 2°and 4°misoriented Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy. The misoriented substrates were used to suppress antiphase domains. Single domain GaP layers were obtained on 4°misoriented Si substrates. Antiphase domains self-annihilated during growth. A single domain GaP layer was achieved on the 2°misoriented Si substrates only at 800℃. Transmission electron microscopy revealed that the sublattice of the layer on the 2°misoriented substrate rotated 90°with respect to that on the 4°misoriented substrates. |
| キーワード(和) | MOVPE / GaN / シリコン基板上 / アンチフェイズドメイン / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 |
| キーワード(英) | MOVPE / GaP / Si substrate / antiphase domain / atomic force microscopy / transmission electron microscopy |
| 資料番号 | ED2011-15,CPM2011-22,SDM2011-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Antiphase domains in GaP grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン基板上 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | アンチフェイズドメイン / antiphase domain |
| キーワード(5)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / transmission electron microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi TAKANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 達也 / Tatsuya TAKAGI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 見崎 龍 / Tatsuru MISAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮原 亮 / Ryo MIYAHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-15,CPM2011-22,SDM2011-28 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |