| 講演名 | 2011-05-19 (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 谷川 智之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | MOVPE法により(1-101)GaN/Si上にInGaN厚膜の成長を試みた。InGaNを成長するとGaNにみられた原子ステップは消失し、三次元成長が促進されていることを確認したが、c面によくみられるV字ピットは現れず、10nm以下の平均粗さを有する平坦性の比較的優れた結晶であることが分かった。X線逆格子マッピング測定よりInGaN結晶の格子緩和課程を観察すると、2段階の緩和課程が観察された。低In組成ではコヒーレント成長していたのに対し、In組成が増大するにつれまずc軸方向へのチルトが見られた。これは格子不整合により界面にミスフィット転位が導入されることに起因すると思われる。In組成が高くなるについてミスフィット転位の間隔が狭くなりチルト角度が増大した。<11-20>方向においては面内の格子緩和のみ発生した。 |
| 抄録(英) | We demonstrated thick InGaN growth on (1-101)GaN/Si. The grown samples had relative smooth surface with RMS value of less than 10nm. From X-ray reciprocal space mapping, InGaN layer showed incoherent growth. First, the lattice relaxation occurred by generation of misfit dislocations between InGaN/GaN interface and inclined along <0001> projection. At a high indium content, a high density of misfit dislocations was generated, resulted in a larger inclination. Along <11-20> direction, InGaN lattice relaxation only occurred along the in-plane direction. |
| キーワード(和) | InGaN / 半極性 / MOVPE / Si基板 |
| キーワード(英) | InGaN / Semipolar / MOPVE / Si substrate |
| 資料番号 | ED2011-13,CPM2011-20,SDM2011-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of thick-InGaN on (1-101)GaN/Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 半極性 / Semipolar |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOPVE |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷川 智之 / Tomoyuki TANIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター Department of Electronics and Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio HONDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター Department of Electronics and Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター Department of Electronics and Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター Department of Electronics and Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko SAWAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学工学部 Department of Electrical & Electronic Engineering, Aichi Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-13,CPM2011-20,SDM2011-26 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |