| 講演名 | 2011-05-19 MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 大内 澄人, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | GaNをサファイア上に成長させると,熱膨張係数差や格子定数差により基板に反りが生じる。面内均一性に優れたデバイスを作製するためには,成長時における基板の反りの低減が必要である。本研究では,基板の反り低減を目的に選択成長法を用いてGaN膜中にボイドを形成し歪み緩和を行い,GaN成長における基板の反り制御を行った。 |
| 抄録(英) | For GaN films on sapphire, the film bend due to the difference of thermal expansions and lattice constants between the epilayers and substrate. In order to fabricate nitride devices with uniform properties in the wafer, it is important to reduce a curvature of the wafer during MOVPE growth process. In the present work, we used selective-area-growth technique to reduce the curvature and strain in GaN by fabricating voids. Furthermore, curvature of GaN film was controlled during the growth process. |
| キーワード(和) | GaN / CL / LP-MOVPE / 溝加工 / ボイド |
| キーワード(英) | GaN / CL / LP-MOVPE / trench-pettern / void |
| 資料番号 | ED2011-12,CPM2011-19,SDM2011-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Curvature control of substrate by MOVPE growth of GaN with voids |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | CL / CL |
| キーワード(3)（和/英） | LP-MOVPE / LP-MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 溝加工 / trench-pettern |
| キーワード(5)（和/英） | ボイド / void |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大内 澄人 / Sumito OHUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-12,CPM2011-19,SDM2011-25 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |