| 講演名 | 2011-05-19 BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 浦上 法之, 深見 太志, 関口 寛人, 岡田 浩, 若原 昭浩, |
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| 抄録(和) | Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層のB組成が、成長温度を低下することによって増加することが明らかになった。これは、valence force field理論を用いた理論計算により、B原子がGaP母材中に取り込まれる際、B-P結合に歪がかかるため、結合が不安定となる。このため、高い成長温度(580℃)においてはB原子の脱離や取り込み効率が低下すると考えられる。一方で、低い成長温度(500℃)においては、基板表面におけるPの表面被覆率が増加するため、不安定ながらもB-P結合が切断される確率が低くなったことにより、Bの取り込み効率が高くなったと考えられる。 |
| 抄録(英) | Growth properties of dilute BGaP layers have been investigated by molecular beam epitaxy for strain compensation layers in strained quantum well lasers fabricated on a Si substrate. B composition in BGaP increased with decreasing growth temperature. Based on valence force field analysis, B-P bonds in GaP matrix are stretched by tensile stress and the bond become week. At relatively high temperature (580℃), surface coverage of P atoms become high, and then absorbed B could make stable B-P bonds even under large stress. |
| キーワード(和) | BGaP / 分子線エピタキシー / 電子ビーム加熱 / X線回折 / Valence force field理論 |
| キーワード(英) | BGaP / Molecular beam epitaxy / Electron beam heating / X-ray diffraction / valence force field |
| 資料番号 | ED2011-11,CPM2011-18,SDM2011-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular beam epitaxy growth of BGaP |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BGaP / BGaP |
| キーワード(2)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular beam epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 電子ビーム加熱 / Electron beam heating |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折 / X-ray diffraction |
| キーワード(5)（和/英） | Valence force field理論 / valence force field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浦上 法之 / Noriyuki URAKAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深見 太志 / Futoshi FUKAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-11,CPM2011-18,SDM2011-24 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |