| 講演名 | 2011-05-19 Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 熊谷 啓助, 小路 耕平, 河合 剛, 山根 啓輔, 関口 寛人, 岡田 浩, 若原 昭浩, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用できる。そこでSi格子整合系の低屈折率混晶としてAlGaPN混晶の成長条件確率を目指し、N組成の成長温度依存性とAl組成依存性に関する知見を得た。また反射スペクトルよりAlGaPN混晶の屈折率を明らかにし、AlGaPN/GaPNの光閉じ込め構造の設計と分布ブラッグ反射鏡の試作を行った。 |
| 抄録(英) | An AlP-based dilute nitride is one of the candidates for the cladding layer of laser structure in a Si-based optoelectronic integrated circuits (OEIC). In order to design the optical confinement structure, growth properties and optical constants of AlGaPN have been investigated. Nitrogen incorporation efficiency is increased by adding Al contents, but shows small effect of the growth temperatures. A high quality AlGaPN which can be lattice matched to Si obtained at the growth temperature of 600℃. The refractive indexes of AlGaPN with the N concentration of a few % are almost the same an AlGaP. Finally AlPN/GaPN DBR is fabricated. |
| キーワード(和) | 光電子集積回路 / III-V-N混晶 / GaPN / AlPN / 光閉じ込め構造 / 分布ブラッグ反射鏡 |
| キーワード(英) | OEIC / III-V-N alloys / GaPN / AlPN / Optical confinement structure / DBR |
| 資料番号 | ED2011-10,CPM2011-17,SDM2011-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular beam epitaxy growth of AlGaPN alloys for optical confinement structure on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(2)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloys |
| キーワード(3)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(4)（和/英） | AlPN / AlPN |
| キーワード(5)（和/英） | 光閉じ込め構造 / Optical confinement structure |
| キーワード(6)（和/英） | 分布ブラッグ反射鏡 / DBR |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊谷 啓助 / Keisuke KUMAGAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小路 耕平 / Kohei SHOJI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河合 剛 / Tsuyoshi KAWAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山根 啓輔 / Keisuke YAMANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 関口 寛人 / Hiroto SEKIGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻 Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi technology of University |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-10,CPM2011-17,SDM2011-23 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |