| 講演名 | 2011-05-19 RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 田畑 拓也, 白 知鉉, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, |
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| 抄録(和) | 従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想される。本研究では、RF-MBE法により(111)Si基板上にIn/(In+Ga)フラックス比および成長温度を変化させてInGaNナノワイヤの成長を行った。成長温度を固定した場合、Inフラックス比が大きくなるほどナノワイヤにおけるIn組成の増大とともにフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長は長波長側へシフトした。また、成長温度が高くなるにつれて、PLピーク波長は短波長側へシフトし、PL強度は大きくなった。これは成長温度が高くなるにつれてInの脱離が多くなったこと、およびInGaNナノワイヤの結晶性が向上したことが原因として考えられる。しかし、PLスペクトルの温度依存性からInGaNナノワイヤの内部量子効率を見積もると18%程度であった。これはSTEM像において確認された積層欠陥が原因の1つに挙げられる。 |
| 抄録(英) | InGaN nanowires (NWs) are expected to have a good property with visible long wavelength range. In this study, we attempted to grow InGaN NWs on a (111)Si substrate by RF-MBE, and the growth temperature and In flux ratio dependence of the crystalline and optical properties were investigated. At the fixed growth temperature, photoluminescence (PL) peak wavelength in InGaN NWs shifted to long wavelength side with increasing In composition. As growth temperature increased, PL intensity increased with decrease in PL peak wavelength. This result suggests that In is more easily desorbed with increasing growth temperature. We also estimated that an internal quantum efficiency (IQE) was below 18%. This unfavorable IQE is considered to be mainly due to stacking faults observed in STEM images. |
| キーワード(和) | ナノワイヤ / InGaN / RF-MBE / Si基板 |
| キーワード(英) | nanowire / InGaN / RF-MBE / Silicon substrate |
| 資料番号 | ED2011-9,CPM2011-16,SDM2011-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(3)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板 / Silicon substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田畑 拓也 / T. Tabata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター Department of Electronics:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 白 知鉉 / J. H. Paek |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター Department of Electronics:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Y. Honda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター Department of Electronics:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / M. Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター Department of Electronics:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / H. Amano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻赤崎記念研究センター Department of Electronics:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-9,CPM2011-16,SDM2011-22 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |