| 講演名 | 2011-05-19 アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 内山 翔太, 林 家弘, 丸山 隆浩, 成塚 重弥, |
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| 抄録(和) | アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保ち、V/III比を5～1000範囲で変化させると、選択成長したGaN層の形状が大きく変化した。V/III比が低いときは切り立った{11-20}面が側面に形成されるが、V/III比が大きくなると側面に{11-22}斜面が形成し、成長層の平坦化が進んだ。GaN層の成長形状がV/III比に強く依存するのは、結晶面の表面エネルギーがV/III比により大きく変化するためである。次に、マスクに作製した線状の開口(マイクロチャンネル)と垂直方向から、なおかつ、基板に低角に分子線を供給することにより、低角入射マイクロチャネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなった。V/III比は40と固定し、成長温度を750℃～860℃の範囲で変化させることにより、横方向成長に適する条件を検討した。その結果、マスク上に約5.9μm伸びた横方向成長層を得ることに成功した。 |
| 抄録(英) | Selective growth of GaN was performed using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy. Growth temperature was fixed at 860℃ and V/III ratio was changed from 5 to 1000. As a result, the shape of the growth layer was greatly transformed by the change of V/III ratio. While the side facets of {11-20} were observed at low V/III ratio, the side facets of {11-22} was appeared at high V/III ratio and a flat layer was grown at V/III ratio of 1000. It is because the surface energy of these facets was largely changed by the change of the V/III ratio. Low angle incidence microchannel epitaxy (LAIMCE) was also performed with supplying the molecular beams in low angle and vertical to the microchannel. V/III rate was fixed 40 and growth temperature was changed from 750℃ to 860℃. After optimizing the growth conditions, the GaN LAIMCE layer with 5.9μm-wide lateral growth was successfully obtained. |
| キーワード(和) | GaN / MOMBE / 横方向成長 / 選択成長 / ファセット / LAIMCE |
| キーワード(英) | GaN / MOMBE / lateral overgrowth / selective growth / facets / LAIMCE |
| 資料番号 | ED2011-8,CPM2011-15,SDM2011-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral overgrowth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOMBE / MOMBE |
| キーワード(3)（和/英） | 横方向成長 / lateral overgrowth |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selective growth |
| キーワード(5)（和/英） | ファセット / facets |
| キーワード(6)（和/英） | LAIMCE / LAIMCE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内山 翔太 / Shota Uchiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 家弘 / Chia-Hung Lin |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丸山 隆浩 / Takahiro Maruyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 成塚 重弥 / Shigeya Naritsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Meijo University |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-8,CPM2011-15,SDM2011-21 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |