| 講演名 | 2011-05-19 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 木村 允哉, 加藤 正史, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 高速・高耐圧性能を有するSiCショットキーダイオードは整流ダイオードとして実用化されているものの,その電流容量は十分とは言えない.この原因として結晶成長時に混入する結晶欠陥が整流特性を劣化させて,ダイオードの大面積化を阻害していることがあげられる.現在も結晶成長技術の研究が行われているが完全に結晶欠陥をなくすことはできず,結晶成長後に欠陥の悪影響を軽減するための方法も確立されていない.本研究では陽極酸化により4H-SiC表面の結晶欠陥位置に絶縁体である酸化膜を局所的形成することにより,その領域における非理想的な電気伝導を抑制しショットキーダイオード性能の改善を試みた.結果として,酸化後にショットキーダイオードのI-V特性が理想的なものに近づいた. |
| 抄録(英) | For large area 4H-SiC Shottky diodes to be in practical use, it is necessary to eliminate crystal defects which have negative impacts on the Schottky contact characteristics. However, it is difficult to completely eliminate the crystal defects by just improving the crystal growth technique. A technique to suppress the negative influence of the crystal defects is required. It is known that the anodic oxidation can form insulating oxide films on SiC. In this study, we applied the anodic oxidation to 4H-SiC epitaxial layers to form oxide films that will cover crystal defects and suppress the leakage current of Schottky contacts. As a result, the I-V characteristics approached the ideal value after the oxidation. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / ショットキー電極 / 結晶欠陥 / 陽極酸化 |
| キーワード(英) | 4H-SiC / Schottky contact / crystal defect / anodic oxidation |
| 資料番号 | ED2011-7,CPM2011-14,SDM2011-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of n-type 4H-SiC Schottky diode characteristics using passivation of defect by anodic oxidation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶欠陥 / crystal defect |
| キーワード(4)（和/英） | 陽極酸化 / anodic oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木村 允哉 / Masaya KIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Nagoya institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Nagoya institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya KIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Nagoya institute of technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-7,CPM2011-14,SDM2011-20 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |