| 講演名 | 2011-05-19 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 安田 智成, 加藤 正史, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 太陽光を利用した水の光分解による水素生成は次世代エネルギー技術として期待されている。水の光分解材料には半導体が用いられるが、その特性として、腐食に強く、水素生成功率が高いことが求められている。SiCは化学的に安定な物質であり、電解液による腐食に強い。さらに、SiCのポリタイプには可視光を吸収するものも存在するため、従来の金属酸化物に比べて高い水素生成効率を期待できる。そこで本研究では、SiCによる水の光分解の可能性を探るためにSiCのポリタイプである4H、6H、3Cの結晶に対して光電気化学的特性の評価を行った。その結果、全てのポリタイプで水の光分解が可能なバンド構造をしていることが判明し、さらに光電流の測定により水素生成効率を見積もった。 |
| 抄録(英) | SiC is chemically stable material, and strong against corrosion with electrobath. In addition, because a part of polytypes of SiC can absorb visible light, high hydrogen generation efficiency can be expected compared with conventional oxide semiconductors. However, the report for SiC as a water-splitting material has been rarely found. In this study, the photoelectrochemical property of 4H, 6H, and 3C -SiC is characterized. All the polytypes have the band structure suitable for water-splitting, and we estimate hydrogen generation efficiencies from photocurrent measurements. |
| キーワード(和) | 水の光分解 / 水素 / 光電気化学 / ポリタイプ / SiC |
| キーワード(英) | Water splitting / Hydrogen / photoelectrochemical property / polytype / SiC |
| 資料番号 | ED2011-6,CPM2011-13,SDM2011-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of SiC photoelectrochemical properties for water splitting |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水の光分解 / Water splitting |
| キーワード(2)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(3)（和/英） | 光電気化学 / photoelectrochemical property |
| キーワード(4)（和/英） | ポリタイプ / polytype |
| キーワード(5)（和/英） | SiC / SiC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安田 智成 / Tomonari YASUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Nagoya institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Nagoya institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Nagoya institute of technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-6,CPM2011-13,SDM2011-19 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |