| 講演名 | 2011-05-19 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 吉田 敦史, 加藤 正史, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 3C-SiCは低損失・高耐圧のパワーデバイスへの応用が期待されている材料である.しかし3C-SiCのパワーデバイスへの実用化を妨げる一因としてSi基板上にエピタキシャル成長した際,格子不整合が原因で多数の欠陥およびそれに伴う歪みが発生するという課題がある.そのため試料中の欠陥・歪みの分布を把握し,それらが電気的特性に与える影響を評価する必要がある.そこで本研究では反射マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法を応用した装置によりn型3C-SiCウェハーの過剰キャリアライフタイムマップを評価し,歪みの分布との比較を行った.その結果,歪み領域近傍ではキャリアライフタイムが短いことが分かった. |
| 抄録(英) | 3C-SiC is a promising material for low loss and high voltage power devices. However realization of 3C-SiC devices is difficult because of presence of defects and strains due to lattice mismatch between Si and 3C-SiC if we grow 3C-SiC by epitaxial growth on Si substrate. Therefore, understanding of effects of defects and strains on electrical characteristic is required. In this work, we evaluate excess carrier lifetime maps with the microwave photoconductivity decay (μ-PCD) method, and then we compare them with distributions of strains and defects. As a result, we found that excess carrier lifetimes are short in strained region in 3C-SiC. |
| キーワード(和) | 3C-SiC / キャリアライフタイム / 歪み / μ-PCD法 |
| キーワード(英) | 3C-SiC / carrier lifetime / strain / μ-PCD method |
| 資料番号 | ED2011-5,CPM2011-12,SDM2011-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between strain fields and excess carrier lifetime maps in 3C-SiC wafer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | キャリアライフタイム / carrier lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(4)（和/英） | μ-PCD法 / μ-PCD method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 敦史 / Atsushi Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya institute of technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-5,CPM2011-12,SDM2011-18 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |