| 講演名 | 2011-05-19 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 加藤 正史, 吉田 敦史, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | SiCによる超高耐圧デバイス作製において,キャリアライフタイム制御は必須であるが,SiCでは表面再結合速度に関する報告が少なくキャリアライフタイムを見積る際の障害となっていた.そこで本研究では厚みおよび表面状態の異なる自立n型4H-SiCエピ膜に対してキャリアライフタイム測定を行い,表面再結合速度を議論した.その結果,エピ膜表面をas-grown状態から化学機械研磨(CMP)を行った状態に変化させることで表面再結合速度が小さくなること,そしてCMP後の表面再結合速度はC面よりもSi面の方が小さいことが明らかになった. |
| 抄録(英) | To fabricate very high voltage SiC devices, control of the carrier lifetime is extremely important. However, there have been a few reports about the surface recombination on 4H-SiC, and lack of knowledge on the surface recombination velocity makes it difficult to evaluate the real carrier lifetime in 4H-SiC. In order to evaluate surface recombination velocity, this study shows experimental data for the carrier lifetime in free-standing 4H-SiC epilayers with several thicknesses and different surface conditions. As a result, we found that the chemical-mechanical polished (CMP) surface has lower surface recombination velocities than the as-grown epilayer surface, and that the surface recombination velocity after CMP is low on the Si-face compared with that on the C-face. |
| キーワード(和) | 4H-SiC / エピ膜 / キャリアライフタイム / 表面再結合 |
| キーワード(英) | 4H-SiC / Epilayer / Carrier lifetime / Surface recombination |
| 資料番号 | ED2011-4,CPM2011-11,SDM2011-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thickness and surface dependence of the carrier lifetime in free-standing n-type 4H-SiC epilayers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | エピ膜 / Epilayer |
| キーワード(3)（和/英） | キャリアライフタイム / Carrier lifetime |
| キーワード(4)（和/英） | 表面再結合 / Surface recombination |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 敦史 / Atsushi YOSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-4,CPM2011-11,SDM2011-17 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |