| 講演名 | 2011-05-19 エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 楊 士波, 宮川 鈴衣奈, 三宅 秀人, 平松 和政, 播磨 弘, |
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| 抄録(和) | AINはワイドバンドギャップや高温での安定性などから、深紫外領域の発光デバイスをはじめ、次世代の種々半導体デバイスへの応用が期待されている。しかしながら、サファイアなど異種下地基板上のAIN成長では、格子定数差や熱膨張係数差による応力発生の問題がある。本研究では、サファイア基板、6H-SiC基板上に高品質なAIN薄膜を作製し、高分解能X線回折、ラマン散乱分光測定から格子歪みや応力の解析を行った。その結果、(10-12)回折のXRC FWHMが小さくなるにつれE2(high)ラマンピークシフトが大きくなり、圧縮応力が増大することから、転位が応力を緩和していることがわかった。さらに、得られた結果から2軸応力係数kが求められ、その値は-4.04±0.3cm^<-1>/GPaであった。 |
| 抄録(英) | Due to its wide band-gap energy and the outstanding thermal and chemical stability, aluminum nitride (AIN) is attracting interest in the area of deep-ultraviolet Light-emitting diodes and high-power, high-temperature electronic devices. However, the AIN grown on foreign substrate, for example sapphire, were in high strain state because of the lattice and thermal misfits. High-crystalline-quality epitaxial films of wurtzite AIN were grown on sapphire and 6H-SiC substrates. The lattice strain of the films was analyzed by high-resolution X-ray diffraction and the E2 (high)-phonon frequency which was observed by Raman scattering. Due to the dislocation that can relax the stress, the Raman shift move to high frequency as (10-12) XRC by Raman scattering. Due to the dislocation that can relax the stress, the Raman shift move to high frequency as (10-12) XRC FWHM gets smaller. AIN/Sapphire show compressive stresses while AIN/6H-SiC shows tensile stress. Data analysis for wide ranges of lattice strains and phonon-peak shifts yielded a precise biaxial stress coefficient of this phonon mode, -4.04±0.3 cm^<-1>/GPa. |
| キーワード(和) | AIN / Raman / X-Ray / 残留応力 / 2軸性応力係数 / 変形ポテンシャル定数 |
| キーワード(英) | AIN / Raman / X-Ray / Residual Stress / biaxial stress coefficient / deformation potential constant |
| 資料番号 | ED2011-3,CPM2011-10,SDM2011-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Raman Scattering Spectroscopy for Epitaxial AIN Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AIN / AIN |
| キーワード(2)（和/英） | Raman / Raman |
| キーワード(3)（和/英） | X-Ray / X-Ray |
| キーワード(4)（和/英） | 残留応力 / Residual Stress |
| キーワード(5)（和/英） | 2軸性応力係数 / biaxial stress coefficient |
| キーワード(6)（和/英） | 変形ポテンシャル定数 / deformation potential constant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 楊 士波 / Shibo Yang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮川 鈴衣奈 / Reina Miyagawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 播磨 弘 / Hiroshi Harima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学工芸学部 Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-3,CPM2011-10,SDM2011-16 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |