| 講演名 | 2011-05-19 a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 高木 雄太, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | クラックフリーの厚膜AINを得るためには,周期溝加工を施したAIN/Sapphire基板を用いる方法が有効である。本研究で用いている周期溝加工を施すための下地c面AIN/a面Sapphire基板は、下地の段階から減圧HVPE法を用いて結晶成長を行った。しかしa面Sapphire上AINは、初期成長温度と表面処理の有無によって面方位が90°変化する。したがってAINの合体面の関係から、加工する溝のストライプ方向がa面Sapphireの<0001>と<1-100>に沿う2通り考えられる。そのため本研究では面方位の異なる溝加工AIN/a面Sapphireについて,溝加工方向による成長形態の比較・検討を行った。 |
| 抄録(英) | The technique of period trench patterned AIN on Sapphire substrate is effective to obtain crack-free thick AIN film. The AIN was grown on period-trench pattern a-plane Sapphire by low-pressure HVPE. Epitaxial relationship between AIN and a-plane Sapphire was 90 degrees rotated for changing growth temperature and/or cleaning ambient. According to relationship of coalescing planes, two trench directions <0001>_ |
| キーワード(和) | AIN / a面Sapphire / HVPE / 溝加工 |
| キーワード(英) | AIN / a-plane Sapphire / HVPE / trench pattern |
| 資料番号 | ED2011-2,CPM2011-9,SDM2011-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High thickness AIN growth with period trench patterned c-plane AIN on a-plane Sapphire by low-pressure HVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AIN / AIN |
| キーワード(2)（和/英） | a面Sapphire / a-plane Sapphire |
| キーワード(3)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 溝加工 / trench pattern |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 雄太 / Yuta TAKAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-2,CPM2011-9,SDM2011-15 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |