| 講演名 | 2011-05-19 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 楊 凱, 中島 佑基, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | Cu_xS薄膜を電気化学堆積法(ECD法)により作製した。pH調整剤として硫酸または乳酸を用いて堆積を行った。硫酸を用いた場合は,ITO基板上に安定した薄膜が得られなかったが,乳酸を用いた場合,Cu_<2.6>Sの茶色の薄膜の堆積に成功した。光電気化学測定より,堆積した薄膜はp型半導体であり,光導電性を持つことを確認できた。次いで,Cu_xZu_yS薄膜をECD法により堆積した。最適の条件で堆積した膜は可視光に対して高い透過率を示し,算出したバンドギャップは3.2eVである。p型伝導性と光伝導性を示したことが確認され,n型のZnO薄膜とのヘテロ接合は整流性を示した。 |
| 抄録(英) | Cu_xS thin films were deposited by the electrochemical deposition (ECD) method on indium-tin oxide-coated (ITO) glass substrates. The pH of the solution was adjusted by sulfuric acid or lactic acid, which can act as a pH buffer. In the case of sulfuric acid, a stable thin film was not obtained, but brown Cu_<2.6>S thin films were successfully deposited in the case of lactic acid. Cu_xZn_yS thin films were also deposited on ITO glass substrates by ECD. The film deposited under optimum conditions exhibited a high optical transmission in the visible range, and its energy band gap was about 3.2 eV. It was confirmed that Cu_xZn_yS showed p-type conduction and photosensitivity. We deposited the heterojunction of the Cu_xZn_yS thin film with an n-type ZnO thin film. In a current-voltage measurement, the heterojunction showed rectification properties. |
| キーワード(和) | 電気化学堆積法(ECD) / Cu_xS / Cu_xZn_yS / 光伝導性 |
| キーワード(英) | electrochemical deposition (ECD) / Cu_xS / Cu_xZn_yS / photoconductivity |
| 資料番号 | ED2011-1,CPM2011-8,SDM2011-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学堆積法によるCu_xS及びCu_xZu_yS薄膜の作製(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Cu_xS and Cu_xZn_yS thin films by the electrochemical deposition method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気化学堆積法(ECD) / electrochemical deposition (ECD) |
| キーワード(2)（和/英） | Cu_xS / Cu_xS |
| キーワード(3)（和/英） | Cu_xZn_yS / Cu_xZn_yS |
| キーワード(4)（和/英） | 光伝導性 / photoconductivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 楊 凱 / Kai YANG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中島 佑基 / Yuki NAKASHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-05-19 |
| 資料番号 | ED2011-1,CPM2011-8,SDM2011-14 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |