| 講演名 | 2011-02-18 定量位相差顕微鏡を用いた発熱計測技術の開発(機構デバイスの信頼性、信頼性一般) 中村 共則, 岩井 秀直, 山内 豊彦, 寺田 浩敏, |
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| 抄録(和) | 発熱検出はLSIの不良箇所を直接検出できる手段であるが、輻射波長により解像度を制限される問題がある。本報告では発熱を輻射ではなくSiの屈折率変化と熱膨張から検出する手法を報告する。本手法は、輻射より1.3μm程度とも短い波長の照明光を使用するため、従来の輻射を計測する手法よりもパタン解像力が高い特徴がある。また、基板の不純物濃度がやや高く、従来の手法では赤外線が透過せず観察できないサンプルにも適用できる。本手法にて、発熱観察カメラでは発熱観察できないサンプルに対し、実際に発熱点検出ができることを確認した。 |
| 抄録(英) | Thermal imaging detects thermal radiation directly in order to interrogate the failure points in LSI. However, thermal image detecting long wave-length such as 3-5μm causes not only the low spatial resolution but also the low sensitivity when the DUT is the high impurity Si substrate. In this report, a new high spatial resolution temperature measurement method is described. In our method, the change of the refraction index and the heat expansion of Si substrate are measured by interferometric optical microscopy with the illumination of 1.3μm super-luminescence diode. Due to employing the shorter wavelength, heat spot detection can be obtained through the high impurity Si substrate. |
| キーワード(和) | 熱画像 / 温度計測 / 干渉光学系 / 解像度 / 高濃度基板 |
| キーワード(英) | Thermal imaging / temperature measurement / Interference optical system / resolution / high impurity substrate |
| 資料番号 | R2010-49,EMD2010-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2011/2/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 定量位相差顕微鏡を用いた発熱計測技術の開発(機構デバイスの信頼性、信頼性一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal Imaging Method with Phase Microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱画像 / Thermal imaging |
| キーワード(2)（和/英） | 温度計測 / temperature measurement |
| キーワード(3)（和/英） | 干渉光学系 / Interference optical system |
| キーワード(4)（和/英） | 解像度 / resolution |
| キーワード(5)（和/英） | 高濃度基板 / high impurity substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 共則 / Tomonori NAKAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社システム事業部 Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩井 秀直 / Hidenao IWAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社中央研究所 Central Research Lab. Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山内 豊彦 / Toyohiko YAMAUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社中央研究所 Central Research Lab. Hamamatsu Photonics K.K. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 寺田 浩敏 / Hirotoshi TERADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社システム事業部 Hamamatsu Photonics K.K. |
| 発表年月日 | 2011-02-18 |
| 資料番号 | R2010-49,EMD2010-150 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 416 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |