| 講演名 | 2011-03-02 More Mooreに立ちはだかるCMOSばらつきの理解に向けて(低電力設計,システムオンシリコンを支える設計技術) 小野寺 秀俊, |
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| 抄録(和) | デバイス寸法がナノメートルの領域に入ってきた現在、デバイス特性のばらつきはLSI設計における深刻な問題となってきた。デバイスの更なる微細化や製造プロセスやデバイス構造の複雑化は、特性ばらつき量の拡大だけでなく、ストレスのばらつきや活性化度のばらつきなど、新たなばらつき要因の発生も引き起こしている。デバイスの特性ばらつきは、今やMore Moore方向への更なる発展を阻む主要な要因となった。本講演では、CMOSばらつきの原因を説明し、その現状と将来動向を述べる。また、CMOSばらつきへの対策についても触れる。取り上げるCMOSばらつきは、主に製造プロセスやデバイス構造に起因したばらつきであるが、ランダムテレグラフノイズやBTI(Bias Temperature Instability)のような動的に変化する特性ばらつきについても紹介する。 |
| 抄録(英) | With the device dimensions in the nanometer regime, variability becomes a serious concern in LSI design. Aggressive scaling and increasing technology complexity lead to an explosion in the magnitude of variability while also introducing new sources of variability such as stress variation. The variability now becomes the primary obstacle for further scaling toward the More Moore direction. In this talk, we will review recent trend of CMOS variability. Other topics include variability characterization, minimization and mitigation. The CMOS variability in this talk mainly originates from fabrication processes and device structures, but dynamic and temporal variability such as RTN(Random Telegraph Noise) and BTI(Bias Temperature Instability) will be also touched on. |
| キーワード(和) | ばらつき / 製造容易化設計 / ばらつき考慮設計 / 統計的設計 / RTN / BTI |
| キーワード(英) | Variability / Design for Manufacturing / Statistical Design / RTN / BTI |
| 資料番号 | VLD2010-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2011/2/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | More Mooreに立ちはだかるCMOSばらつきの理解に向けて(低電力設計,システムオンシリコンを支える設計技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Understanding CMOS Variability for More Moore |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(2)（和/英） | 製造容易化設計 / Design for Manufacturing |
| キーワード(3)（和/英） | ばらつき考慮設計 / Statistical Design |
| キーワード(4)（和/英） | 統計的設計 / RTN |
| キーワード(5)（和/英） | RTN / BTI |
| キーワード(6)（和/英） | BTI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野寺 秀俊 / HIDETOSHI ONODERA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院情報学研究科:JST, CREST Graduate School of Informatics, Kyoto University:JST, CREST |
| 発表年月日 | 2011-03-02 |
| 資料番号 | VLD2010-124 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 432 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 46 |
| 発行日 | |