| 講演名 | 2011-03-02 CMOSナノワットBGR回路のプロセス移行の制約再利用に関する考察(低電力設計,システムオンシリコンを支える設計技術) 陳 功, 陰 徳龍, 楊 波, 董 青, 李 静, 中武 繁寿, |
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| 抄録(和) | 本論文は、CMOS製造プロセスにおいて低消費電力アナログ回路を移行設計するための制約再利用方法を提供する。再利用方法の一般化は困難であるため、まず抵抗素子を含まず閾値電圧以下で動作するMOSFETを伴うナノワットBGR回路を移行設計のための題材として用いる。移行の前後で参照電流と参照電圧を同時に保持するための制約を導入し、180nm/1.8Vプロセスから90nm/1.2V,2.5V,3.3Vのプロセスへそれぞれ移行設計した事例を紹介する。シミュレーション結果において、我々の導入した制約は低電圧プロセスにおいても設計要求を満たすことを確認した。 |
| 抄録(英) | This paper presents a methodology with reusable constraints to migrate low power analog circuits between different CMOS manufacturing processes. We focus on a nano-watt band-gap reference (BGR) circuit with sub-threshold voltage MOSFETs and without any resistances. The constraints are introduced accounting for conserving the reference current and the reference voltage simultaneously. We re-target the circuit designed in 180nm/1.8V process to the 90nm process with MOSFETs working at 1.2V, 2.5V and 3.3V, respectively. The simulation results convince us our constraints can meet the design requirements even when re-targeting to the low voltage process. |
| キーワード(和) | 再利用制約 / プロセス移行設計 / バンドギャップリファレンス回路 / 低電圧プロセス |
| キーワード(英) | reusable constraints / process migration / band-gap reference design / low voltage process |
| 資料番号 | VLD2010-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2011/2/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | CMOSナノワットBGR回路のプロセス移行の制約再利用に関する考察(低電力設計,システムオンシリコンを支える設計技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reusable Constraints of Nano-watt BGR Circuits in CMOS Process Migration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 再利用制約 / reusable constraints |
| キーワード(2)（和/英） | プロセス移行設計 / process migration |
| キーワード(3)（和/英） | バンドギャップリファレンス回路 / band-gap reference design |
| キーワード(4)（和/英） | 低電圧プロセス / low voltage process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 陳 功 / Gong CHEN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科 School of Environmental Engineering, The University of Kitakyusyu |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 陰 徳龍 / DeLong YIN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科 School of Environmental Engineering, The University of Kitakyusyu |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 楊 波 / Bo YANG |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科 School of Environmental Engineering, The University of Kitakyusyu |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 董 青 / Dong QING |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科 School of Environmental Engineering, The University of Kitakyusyu |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 李 静 / Li JING |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科 School of Environmental Engineering, The University of Kitakyusyu |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中武 繁寿 / Shigetoshi NAKATAKE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北九州市立大学大学院国際環境工学研究科 School of Environmental Engineering, The University of Kitakyusyu |
| 発表年月日 | 2011-03-02 |
| 資料番号 | VLD2010-123 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 432 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |