講演名 2011-04-19
3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
小埜 和夫, 柳川 善光, 小田部 晃, 関口 知紀,
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抄録(和) マルチコアCPUとの3次元積層により,高スループットコンピューティングを可能にする超高バンド幅,大容量キャッシュDRAMを提案する。バンド幅を高めるため,(1)5段パイプラインを持っマルチコアDRAMアーキテクチャ,(2)8 nsサイクル動作を実現するアーリーバーライト方式,(3)TSVを用いた16Gbit/s高速I/Fの3技術を適用した。45nmの汎用DRAMプロセスを仮定した回路シミュレーションにより,バンド幅1 Tbyte/s,容量1 GbitのキャッシュDRAMを平均消費電力19.5W,チップ面積は52mm^2で実現できることを確認した。
抄録(英) A novel multicore DRAM architecture with an ultra high bandwidth and a large capacity is proposed for high throughput computing application. The proposed architecture uses three techniques; 1) 5-stage pipelined 16-DRAM cores, 2) an early bar write scheme for an 8-ns cycle array operation, 3) 16-Gbit/s I/O circuit on each 32 through-silicon-via pairs/DRAM core. We confirmed by the circuit simulation assuming 45-nm 1-Gbit chip that the proposed architecture achieves 1-Tbyte/s bandwidth with 19.5-W power consumption. The chip area is estimated to be 52 mm^2.
キーワード(和) DRAM / 3次元積層 / シリコン貫通ビア / スループットコンピューティング
キーワード(英) DRAM / 3-D integration / through silicon via / high throughput computing
資料番号 ICD2011-15
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2011/4/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) 1-Tbyte/s 1-Gbit Multicore DRAM Architecture using 3-D Integration for High-throughput Computing
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) DRAM / DRAM
キーワード(2)(和/英) 3次元積層 / 3-D integration
キーワード(3)(和/英) シリコン貫通ビア / through silicon via
キーワード(4)(和/英) スループットコンピューティング / high throughput computing
第 1 著者 氏名(和/英) 小埜 和夫 / Kazuo ONO
第 1 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 柳川 善光 / Yoshimitsu YANAGAWA
第 2 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 小田部 晃 / Akira KOTABE
第 3 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 関口 知紀 / Tomonori SEKIGUCHI
第 4 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
発表年月日 2011-04-19
資料番号 ICD2011-15
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 6
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日