講演名 | 2011-04-19 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) 小埜 和夫, 柳川 善光, 小田部 晃, 関口 知紀, |
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抄録(和) | マルチコアCPUとの3次元積層により,高スループットコンピューティングを可能にする超高バンド幅,大容量キャッシュDRAMを提案する。バンド幅を高めるため,(1)5段パイプラインを持っマルチコアDRAMアーキテクチャ,(2)8 nsサイクル動作を実現するアーリーバーライト方式,(3)TSVを用いた16Gbit/s高速I/Fの3技術を適用した。45nmの汎用DRAMプロセスを仮定した回路シミュレーションにより,バンド幅1 Tbyte/s,容量1 GbitのキャッシュDRAMを平均消費電力19.5W,チップ面積は52mm^2で実現できることを確認した。 |
抄録(英) | A novel multicore DRAM architecture with an ultra high bandwidth and a large capacity is proposed for high throughput computing application. The proposed architecture uses three techniques; 1) 5-stage pipelined 16-DRAM cores, 2) an early bar write scheme for an 8-ns cycle array operation, 3) 16-Gbit/s I/O circuit on each 32 through-silicon-via pairs/DRAM core. We confirmed by the circuit simulation assuming 45-nm 1-Gbit chip that the proposed architecture achieves 1-Tbyte/s bandwidth with 19.5-W power consumption. The chip area is estimated to be 52 mm^2. |
キーワード(和) | DRAM / 3次元積層 / シリコン貫通ビア / スループットコンピューティング |
キーワード(英) | DRAM / 3-D integration / through silicon via / high throughput computing |
資料番号 | ICD2011-15 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2011/4/11(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 1-Tbyte/s 1-Gbit Multicore DRAM Architecture using 3-D Integration for High-throughput Computing |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | DRAM / DRAM |
キーワード(2)(和/英) | 3次元積層 / 3-D integration |
キーワード(3)(和/英) | シリコン貫通ビア / through silicon via |
キーワード(4)(和/英) | スループットコンピューティング / high throughput computing |
第 1 著者 氏名(和/英) | 小埜 和夫 / Kazuo ONO |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 柳川 善光 / Yoshimitsu YANAGAWA |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 小田部 晃 / Akira KOTABE |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 関口 知紀 / Tomonori SEKIGUCHI |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
発表年月日 | 2011-04-19 |
資料番号 | ICD2011-15 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 6 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |