| 講演名 | 2011-02-07 Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性(配線・実装技術と関連材料技術) 小濱 和之, 伊藤 和博, 薗林 豊, 大森 和幸, 森 健壹, 前川 和義, 白井 泰治, 村上 正紀, |
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| 抄録(和) | 我々は、Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた。近年、Ti基自己形成バリアが45nmノードのデュアルダマシン配線形成プロセスに適用され、従来のTa/TaNバリアと同等以上の高いバリア性を持つことが示されたが、バリアの微細構造や高バリア性の原因は明らかではなかった。本稿では、X線光電子分光法(XPS)を用いたTiの化学状態の解析により、種々の誘電体層上に作製したTi基自己形成バリア中のTi化合物を直接同定し、Ti基自己形成バリアの微細構造および高バリア性の原因について詳細に考察した結果について述べる。 |
| 抄録(英) | Ti-based self-formed barrier layer using Cu(Ti) alloy seed applied to 45 nm-node dual-damascene interconnects was reported to have sufficient barrier strength to prevent Cu diffusion into dielectrics. However, the barrier structure such as a volume fraction and a position of the constituent Ti compounds were unknown. Thus, barrier mechanism of the self-formed Ti-based barrier layers was indistinct. In the present study, we employed an X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) technique with simultaneous Ar etching, to investigate systematically the barrier structure of the Ti-based barrier layers self-formed on several dielectrics. |
| キーワード(和) | LSI / Cu配線 / Cu(Ti) / RBS / XPS |
| キーワード(英) | LSI / Cu interconnect / Cu(Ti) / RBS / XPS |
| 資料番号 | SDM2010-221 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2011/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性(配線・実装技術と関連材料技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Ti-Based Self-Formed Barrier Structure on Dielectric-Layer Composition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(2)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnect |
| キーワード(3)（和/英） | Cu(Ti) / Cu(Ti) |
| キーワード(4)（和/英） | RBS / RBS |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小濱 和之 / Kazuyuki KOHAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Dept. of Materials Science and Engineering, Kyoto Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 和博 / Kazuhiro ITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Dept. of Materials Science and Engineering, Kyoto Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 薗林 豊 / Yutaka SONOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Dept. of Materials Science and Engineering, Kyoto Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大森 和幸 / Kazuyuki OHMORI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森 健壹 / Kenichi MORI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 Renesas Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前川 和義 / Kazuyoshi MAEKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 The Ritsumeikan Trust |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 白井 泰治 / Yasuharu SHIRAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Dept. of Materials Science and Engineering, Kyoto Univ. / |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 村上 正紀 / Masanori MURAKAMI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 学校法人立命館 |
| 発表年月日 | 2011-02-07 |
| 資料番号 | SDM2010-221 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 408 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |