| 講演名 | 2011-02-07 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長 : 結晶性の放電条件依存(配線・実装技術と関連材料技術) 小川 修一, 佐藤 元伸, 角 治樹, 二瓶 瑞久, 高桑 雄二, |
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| 抄録(和) | グラフェンを低温(400℃以下)、触媒無し、大面積成長させるため、我々は光電子制御プラズマを開発した。本研究では光電子制御プラズマの放電条件がグラファイト材料への結晶性に与える影響を明らかにするため、結晶性の放電電圧依存を調べた。紫外線照射を行わない通常の直流放電プラズマに比べて、光電子制御プラズマではラマン分光スペクトルの半値幅が細く、結晶性が良いことが分かった。また放電電圧を下げるほど結晶性は向上し、200Vではマイクロ波プラズマCVDで形成したグラファイト材料(カーボンナノウォール)よりも良い結晶性が得られた。この結果から高品質グラファイトの成長には試料へのイオン衝突が必要であることが示唆された。 |
| 抄録(英) | The photoemission-assisted plasma chemical vapor deposition has been developed to form the graphene for large area without any catalysts in low temperature. In this study, we have investigated the plasma voltage dependence of the crystallographic quality of networked nanographite (NNG). The width of Raman spectra, which indicates the crystallographic quality of the graphitic materials, grown by photoemission-assisted plasma is narrower than that by traditional DC discharge plasma. Furthermore, it is found that the G band width of NNG grown at 200 V of plasma voltage is narrower than that of carbon nanowall grown by the microwave plasma CVD. |
| キーワード(和) | 光電子制御プラズマ / ナノグラファイト / 多層グラフェン / プラズマCVD / ラマン分光法 |
| キーワード(英) | Photoemission-assisted plasma / Nanographite / Multilayer graphene / plasma-enhanced chemical vapor deposition / Raman spectroscopy |
| 資料番号 | SDM2010-220 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2011/1/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長 : 結晶性の放電条件依存(配線・実装技術と関連材料技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Networked nanographite growth using photoemission-assisted enhanced plasma CVD : discharge condition dependence of the crystallographic quality |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子制御プラズマ / Photoemission-assisted plasma |
| キーワード(2)（和/英） | ナノグラファイト / Nanographite |
| キーワード(3)（和/英） | 多層グラフェン / Multilayer graphene |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマCVD / plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(5)（和/英） | ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小川 修一 / Shuichi OGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 IMRAM, Tohoku University:CREST, JST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 元伸 / Motonobu SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業:富士通株式会社 CREST, JST:Fujitsu Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 角 治樹 / Haruki SUMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所 IMRAM, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 二瓶 瑞久 / Mizuhisa NIHEI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業:富士通株式会社 CREST, JST:Fujitsu Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高桑 雄二 / Yuji TAKAKUWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学多元物質科学研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 IMRAM, Tohoku University:CREST, JST |
| 発表年月日 | 2011-02-07 |
| 資料番号 | SDM2010-220 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 408 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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