講演名	2011-02-18 I_を用いたLSIの劣化兆候の検出(機構デバイスの信頼性、信頼性一般) 坂本 俊輔, 眞田 克,
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抄録(和)	電源電流(I_)情報は論理情報に比べて高い故障検出感度を有しているためLSI評価に広く用いられている.我々はこの技術を特性の劣化兆候の検出へ適用した.初期の劣化は微小なリーク電流を発生させるため識別に工夫が必要である.さらに、劣化の進行に伴うリーク電流の増加を確実に検出する必要がある.このため、テストベクター対I_値のデータをフーリエ変換して算出されるパワースペクトルの変化をモニターすることで顕在化を試みた.この結果、正常値に対して約1/1000の微小変動からの進行を捉えることができた.このデータをもとに未来の論理故障に到る時期を予測するための問題点を述べる.
抄録(英)	V_ supply current (I_) information has been applied to detect LSI evaluation technology, I_ which has high fault detection sensitivity comparison with logic information. We used the I_ data to confirm degradation sign of LSI operation. For identification of early degradation with tiny leakage current, and clear detection of leakage current value growth brought with degradation progress, mathematical analysis way is worked. The technology is that data between test vector number versus I_ value is converted by Fourier transformation and is fabricated to power spectrum, which actualizes degradation sign. As a result, progress from tiny change of about 1/1000 on normal value was measured. Controversial points are discussed for prediction times of circuit operation down.
キーワード(和)	電源電流 / LSI / 劣化 / フーリエ変換 / パワースペクトル
キーワード(英)	I_ / LSI / Degradation / Fourier Transformation / Power spectrum
資料番号	R2010-46,EMD2010-147
発行日

研究会情報
研究会	R
開催期間	2011/2/11(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Reliability(R)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	I_を用いたLSIの劣化兆候の検出(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Detection of degradation sign of LSI operation using I_
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	電源電流 / I_
キーワード(2)（和/英）	LSI / LSI
キーワード(3)（和/英）	劣化 / Degradation
キーワード(4)（和/英）	フーリエ変換 / Fourier Transformation
キーワード(5)（和/英）	パワースペクトル / Power spectrum
第 1 著者 氏名（和/英）	坂本 俊輔 / Shunsuke SAKAMOTO
第 1 著者 所属（和/英）	高知工科大学電子・光システム工学科 Faculty of Engineering, Kochi University of Technology
第 2 著者 氏名（和/英）	眞田 克 / Masaru SANADA
第 2 著者 所属（和/英）	高知工科大学電子・光システム工学科 Faculty of Engineering, Kochi University of Technology
発表年月日	2011-02-18
資料番号	R2010-46,EMD2010-147
巻番号（vol）	vol.110
号番号（no）	415
ページ範囲	pp.-
ページ数	6
発行日