| 講演名 | 2010-12-17 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般) 吉田 治正, 桑原 正和, 山下 陽滋, 内山 和也, 菅 博文, |
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| 抄録(和) | AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaNおよびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは,低転位のAlGaN結晶上に作製したもので,その発振波長は最も短いものでは336nmとなり,GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した.本研究では、デバイスの光学および温度特性に加えキャリア再結合についても評価を行った。高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は,今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要である. |
| 抄録(英) | We have demonstrated the room-temperature operations of AlGaN based laser diodes under pulsed-current mode. AlGaN laser diodes have been fabricated on the low dislocation density AlGaN films. The laser diodes lased at a peak wavelength down to 336 nm far beyond the GaN band gap. The optical and temperature characteristics as well as the carrier recombination of the devices have been investigated. The results on the AlGaN based laser diodes grown on the high quality AlGaN films presented here will be essential for the future development of laser diodes emitting much shorter wavelength. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / 紫外 / レーザダイオード / 半導体レーザ |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / ultraviolet / laser diodes / semiconductor lasers |
| 資料番号 | LQE2010-128 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2010/12/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN semiconductor lasers for short ultraviolet region |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外 / ultraviolet |
| キーワード(4)（和/英） | レーザダイオード / laser diodes |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor lasers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 治正 / Harumasa YOSHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 桑原 正和 / Masakazu KUWABARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山下 陽滋 / Yoji YAMASHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内山 和也 / Kazuya UCHIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 菅 博文 / Hirofumi KAN |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 発表年月日 | 2010-12-17 |
| 資料番号 | LQE2010-128 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 353 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |