| 講演名 | 2010-12-17 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般) 今井 英, 高木 啓史, 神谷 慎一, 清水 均, 吉田 順自, 川北 泰雅, 高木 智洋, 平岩 浩二, 清水 裕, 鈴木 理仁, 岩井 則広, 石川 卓哉, 築地 直樹, 粕川 秋彦, |
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| 抄録(和) | 我々が開発を行っている,高信頼性1060nm帯VCSEL素子について紹介する.ダブルイントラキャビティ構造とInGaAs/GaAs歪量子井戸構造を採用することで,低バイアスでの高速変調特性と低抵抗性の両立を実現している.今回試作した素子の,ビットレートに対する電力損失は0.14mW/Gbpsであり,世界最小の値を記録した.また,3000素子以上を投入した加速通電試験において,81FIT/chという高信頼性を実証することができた. |
| 抄録(英) | We propose 1060nm VCSELs with high reliability and low power dissipation. Thanks to double intra-cavity strucuture and InGaAs/GaAs strained QWs, both high reliability and low power dissipation were achieved. The power dissipation of the VCSEL was 0.14mW/Gbps which is the lowest value ever reported so far to our best knowledge. From the accelerated aging test with more than 3000 devices, we achieved 81 FIT/ch of high reliability. |
| キーワード(和) | 面発光レーザ / 光インターコネクション / 信頼性 / 低消費電力 |
| キーワード(英) | VCSELs / Optical Interconnection / High Reliability / Low Power Dissipation |
| 資料番号 | LQE2010-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2010/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recorded Low Power Dissipation in 1060 nm VCSELs with High Reliability for Optical Interconnection |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光レーザ / VCSELs |
| キーワード(2)（和/英） | 光インターコネクション / Optical Interconnection |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / High Reliability |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / Low Power Dissipation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今井 英 / Suguru IMAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 啓史 / Keishi TAKAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神谷 慎一 / Shinichi KAMIYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所信頼性グループ Reliabirity First Group, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 清水 均 / Hitoshi SHIMIZU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 順自 / Junji YOSHIDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川北 泰雅 / Yasumasa KAWAKITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高木 智洋 / Tomohiro TAKAGI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 平岩 浩二 / Koji HIRAIWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 清水 裕 / Hiroshi SHIMIZU |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 鈴木 理仁 / Toshihito SUZUKI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 岩井 則広 / Norihiro IWAI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 石川 卓哉 / Takuya ISHIKAWA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所信頼性グループ Reliabirity First Group, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 築地 直樹 / Naoki TSUKIJI |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 粕川 秋彦 / Akihiko KASUKAWA |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター Photonics Device Research Center, Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2010-12-17 |
| 資料番号 | LQE2010-115 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 353 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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