| 講演名 | 2011-01-14 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) 金谷 康, 天清 宗山, 山本 桂嗣, 小坂 尚希, 宮國 晋一, 後藤 清毅, 島 顕洋, |
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| 抄録(和) | 車載ミリ波レーダーへの適用を目的として、低1/f雑音で高信頼性であるInP/GaAsSb DHBTを試作した。1/f雑音の低減、及び信頼性の向上には再結合電流の抑制が重要である。InP/GaAsSb DHBTの再結合電流を解析した結果、べース表面に起因する準位が再結合電流の支配要因であることが分かった。そこで、べース表面の再結合電流を抑制すべく、べース表面構造をガードリングとSiN表面保護膜で最適化した。最適化したHBTの1/f雑音は7dBの低減効果があり、また1000hrの高温DC通電試験でも劣化は示さなかった。最適化したHBTを用いたW帯発振器の位相雑音は、最適化前と比較して10dB低い-107 dBc/Hz@1MHz-offsetと優れた特性を示した。 |
| 抄録(英) | This paper presents a low 1/f noise and high reliability InP/GaAsSb DHBT developed for automotive radars. To improve 1/f noise and reliability, experimental analyses on the recombination current have been carried out. As a result, we have clarified that the recombination current which can affect 1/f noise and reliability, originates from the surface of the base. We have optimized the base surface structure with the ledge and SiN passivation film. The optimized DHBT offers the lower 1/f noise level than that of the non-optimized DHBT by 7 dB. Additionally, in the high temperature burn-in test, no degradation has been observed even after 1,000 hrs. The W-band oscillator with the optimized HBT delivers the lower phase noise of -107 dBc/Hz at 1MHz-offset compared with that of the non-optimized HBT oscillator by 10 dB. |
| キーワード(和) | InP / GaAsSb / HBT / 1/f雑音 / 再結合電流 / 発振器 / 位相雑音 |
| キーワード(英) | InP / GaAsSb / HBT / 1/f noise / recombination current / oscillator / phase noise |
| 資料番号 | ED2010-190,MW2010-150 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2011/1/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low 1/f Noise and High Reliability InP/GaAsSb DHBT for 76 GHz Automotive Radars |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(3)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） | 1/f雑音 / 1/f noise |
| キーワード(5)（和/英） | 再結合電流 / recombination current |
| キーワード(6)（和/英） | 発振器 / oscillator |
| キーワード(7)（和/英） | 位相雑音 / phase noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金谷 康 / Koh KANAYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 天清 宗山 / Hirotaka AMASUGA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 桂嗣 / Yoshitsugu YAMAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小坂 尚希 / Naoki KOSAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮國 晋一 / Shinichi MIYAKUNI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 後藤 清毅 / Seiki GOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works. Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 島 顕洋 / Akihiro SHIMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works. Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2011-01-14 |
| 資料番号 | ED2010-190,MW2010-150 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 359 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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