| 講演名 | 2011-01-25 ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術 丘 維礼, 永石 英幸, 古後 健治, 大西 正巳, 小川 貴史, |
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| 抄録(和) | 応用周波数の波長に対して物理的大きさが重要であるデバイス,たとえばミリ波応用のGaAs pHEMT,をモデル化する場合に,測定データからデバイス周辺構造の効果をディエムベッドすることが課題である.従来の方法では分布定数回路効果を取り除くのが困難のためである.課題解決のため,本研究では周辺構造を電磁気解析でモデル化する方法を検討した.提案方法による4並列pHEMTデバイスのモデル化,およびこのデバイスから構成された1段アンプの小信号・大信号性能によるモデル精度検証の結果を報告する. |
| 抄録(英) | Modeling of devices that have significant physical sizes compared to the wavelength of the application frequency, such as in the case of GaAs devices for millimeter-wave applications, faces a problem when de-embedding the intrinsic device characteristics from the probing pads and ground structures. Distributed-circuit effects are difficult to remove by previous methods. A method based on electromagnetic field analysis of passive embedding structures has been investigated. The modeling of a 4-parallel-pHEMT device using the proposed method and verification of the method's accuracy from the small and large signal performances of a test amplifier are described. |
| キーワード(和) | ディエムベッド / GaAspHEMT / 電磁気解析 / モデル化 / ミリ波 / 電カアンプ |
| キーワード(英) | de-embedding / GaAs pHEMT / EM analysis / modeling / millimeter-wave / power amplifier |
| 資料番号 | CAS2010-87 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CAS |
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| 開催期間 | 2011/1/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Circuits and Systems (CAS) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Modeling for Millimeter-wave Power Amplifiers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ディエムベッド / de-embedding |
| キーワード(2)（和/英） | GaAspHEMT / GaAs pHEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電磁気解析 / EM analysis |
| キーワード(4)（和/英） | モデル化 / modeling |
| キーワード(5)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(6)（和/英） | 電カアンプ / power amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丘 維礼 / Willy HIOE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永石 英幸 / Hideyuki NAGAISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古後 健治 / Kenji KOGO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大西 正巳 / Masami ONISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小川 貴史 / Takashi OGAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2011-01-25 |
| 資料番号 | CAS2010-87 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 389 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |