| 講演名 | 2010-12-17 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価) 松江 将博, 市川 和典, 赤松 浩, 山崎 浩司, 堀田 昌宏, 浦岡 行治, |
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| 抄録(和) | これまで、a-Si/SiO_2/a-Siを積層した基板にグリーンレーザーを照射した場合、2層同時結晶化することを報告し、さらに上層をフローティングゲート、下層をチャネル層としたLTPS-TFT (Low Temperature Poly-Si TFT)メモリの作製を行った。今回は更なる特性向上を目指し、グリーンレーザーを基板裏面から照射したLTPS-TFTメモリの作製を行った。その結果、これまでよりチャネル層の結晶性が向上し、ON電流が増加した。さらに結晶時の融解熱によりSiO_2がアニールされることで界面状態が向上し、S値及びメモリ特性についても向上が見られた。 |
| 抄録(英) | We have reported that the stacked a-Si layers were simultaneous crystallized by the green laser irradiation. In this study, stacked a-Si/SiO_2/a-Si on the quartz substrate was crystallized two layers simultaneous by the green laser irradiation from the back. Thus, we fabricated the LTPS-TFT memory which has the upper layer as floating gate and the lower layer as channel layer. As a result, the crystallinity of the channel layer was improved and the on current was markedly increased. Moreover, the interface condition was improved due to the SiO_2 layer was annealed by heat of fusion at the crystallization. Therefore, the subthreshold value and memory property were also improved. |
| キーワード(和) | 低温Poly-Si TFT / グリーンレーザー / フラッシュメモリ / レーザー結晶化 |
| キーワード(英) | Low Temperature Poly-Si TFT / Green laser / Flash memory / Laser crystallization |
| 資料番号 | SDM2010-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2010/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of two layers simultaneous crystallized LTPS-TFT memory by the laser irradiation from the back. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温Poly-Si TFT / Low Temperature Poly-Si TFT |
| キーワード(2)（和/英） | グリーンレーザー / Green laser |
| キーワード(3)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | レーザー結晶化 / Laser crystallization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松江 将博 / Masahiro MATSUE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 Kobe City College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市川 和典 / Kazunori ICHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 Kobe City College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤松 浩 / Hiroshi AKAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 Kobe City College of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山崎 浩司 / Koji YAMASAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 堀田 昌宏 / Masahiro HORITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2010-12-17 |
| 資料番号 | SDM2010-200 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 351 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |