| 講演名 | 2010-12-17 X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価) 北野谷 征吾, 西川 誠二, 松浦 秀治, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時開化を計るために,可搬できる蛍光X線検出器が望まれている.しかし,動作時にX線検出素子を液体窒素温度まで冷却するため冷却装置が必要であり,蛍光X線分析装置が大型化する.現在は,室温付近(ペルチェ冷却)で動作するX線検出素子として,Si基板を用いたSilicon Drift Detector (SDD)が市販されているが,歩留まりが悪いため高価であり,さらにCdの蛍光X線(23.5 keV)の吸収率は約15%しかない.SDDを簡素化させ,MOSFETを含まないリング本数3本の構造に対する研究を行った.今回は基板の高抵抗率化を行い,Cdの蛍光X線の吸収を高めるためにSi基板を厚くした際の問題点を解消する方法を検証する. |
| 抄録(英) | Several regulations for hazardous substances have been enforced due to the increase of awareness of environmental issues. To reduce those measurement times, it is required to carry out ready measurements. Since past X-ray detectors were operated at liquid nitrogen temperature, however, X-ray analysis equipments with those X-ray detectors were grown in size. Recently, silicon drift detectors (SDD) cooled by Peltier devices have been used. Because the structure of SDD with many p-rings is complicated, the cost of SDD rises. Moreover, the SDD can detect only 15 % of the X-ray fluorescence (23.5 keV) of Cd due to thin Si substrate. We have proposed and developed the simplified structure of X-ray detectors with only three p-rings. In this study, we aim to solve problems in our detectors fabricated using thicker Si substrate with higher resistivity in order to absorb a large part of the X-ray fluorescence (23.5 keV) of Cd. |
| キーワード(和) | Silicon Drift Detector / X線Si検出素子 / 低価格 / 高抵抗率基板 |
| キーワード(英) | Silicon Drift Detector / X-ray Si Detector / Low-cost X-ray Si Detector / High-resistivity substrate |
| 資料番号 | SDM2010-186 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2010/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | X-ray Detectors (Silicon Drift Detectors) using High-Resistivity Si : Simulation Results |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon Drift Detector / Silicon Drift Detector |
| キーワード(2)（和/英） | X線Si検出素子 / X-ray Si Detector |
| キーワード(3)（和/英） | 低価格 / Low-cost X-ray Si Detector |
| キーワード(4)（和/英） | 高抵抗率基板 / High-resistivity substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 北野谷 征吾 / Seigo KITANOYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻 Osaka Electro-Communication University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西川 誠二 / Seiji NISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻 Osaka Electro-Communication University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松浦 秀治 / Hideharu MATSUURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻 Osaka Electro-Communication University |
| 発表年月日 | 2010-12-17 |
| 資料番号 | SDM2010-186 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 351 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |