| 講演名 | 2010-12-16 グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 寺西 豊志, 鈴木 左文, 静野 薫, 浅田 雅洋, 杉山 弘樹, 横山 春喜, |
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| 抄録(和) | InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラへルツ発振器において,グレーデッドエミッタを導入した構造を作製し,0.6～1THzの発振特性からコレクタ空乏層の電子走行時間を見積もった.その結果,グレーデッドエミッタが走行時間の短縮に効果があることがわかった.これはコレクタ空乏層の印加電界が低下したことによりΓ-Lバンド間遷移が減少したことによると考えられ,簡単な理論的見積もりとよく一致した. |
| 抄録(英) | We fabricated terahertz oscillators using GaInAs/AlAs double-barrier resonant tunneling diodes with graded emitters on InP substrate, and estimated the transit time across the collector depletion region from oscillation characteristics in 0.6-1 THz range. It was found that the graded emitter structure was effective for reduction of the transit time. This result was in good agreement with a simple theoretical analysis, and attributed to reduction of the transition between Γ and L bands due to low electric field in the collector depletion region. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネルダイオード / テラへルツ発振器 / グレーデッドエミッタ / コレクタ走行時間 |
| キーワード(英) | resonant tunneling diodes / terahertz oscillator / graded emitter / collector transit time |
| 資料番号 | ED2010-159 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2010/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transit Time Reduction with Graded Emitter in Resonant Tunneling Diode Terahertz Oscillators |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diodes |
| キーワード(2)（和/英） | テラへルツ発振器 / terahertz oscillator |
| キーワード(3)（和/英） | グレーデッドエミッタ / graded emitter |
| キーワード(4)（和/英） | コレクタ走行時間 / collector transit time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺西 豊志 / Atsushi TERANISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 左文 / Safumi SUZUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 静野 薫 / Kaoru SHIZUNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Hiroki SUGIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki YOKOYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2010-12-16 |
| 資料番号 | ED2010-159 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 342 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |