講演名 | 2010-12-16 CMOS技術を利用した不揮発フリップフロップの設計とFractional-NPLL周波数シンセサイザーへの応用(ポスター講演,学生・若手研究会) 王 戈, イ ジョンギュウ, 桝井 昇一, |
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抄録(和) | 本発表では、Standard CMOSプロセスにより追加プロセスの必要がなく実現可能な不揮発フリップフロップ(NV-FF)の原理、180nmテクノロジによる回路設計、および、Fractional-NPLLシンセサイザーへの応用例を紹介する。このNV-FFは、Fractional-NPLLシンセサイザーにおいて、出力バンド選択、および、LC-VCOを構成するMOSキャパシタめばらつき補正に利用し、さらには、DACと組み合わせVCO制御電圧のPretuningを行い、PLLの初期Settling特性を高速化し、低エネルギー化を実現する。 |
抄録(英) | A CMOS-based nonvolatile flip-flop (NV FF) is proposed and implemented with a 180nm technology without any additional masks. This NV FF is applied to a fractional-N phase-locked loop (PLL) frequency synthesizer for a smart key application for the output band selection and compensation of process variations in MOS capacitors. The additional pre-tuning of voltage-controlled oscillator (VCO) control voltage is executed with the combination of digital-to-analog converter (DAC) and NV FF for the fast start-up and resulting low-energy operation. |
キーワード(和) | 不揮発メモリ / アナログ回路補正 / Fractional-N PLLシンセサイザー / 低消費電力化 |
キーワード(英) | Nonvolatile memory / Analog circuit calibration / Fractional-N PLL frequency synthesizer / low energy |
資料番号 | ICD2010-100 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2010/12/9(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | CMOS技術を利用した不揮発フリップフロップの設計とFractional-NPLL周波数シンセサイザーへの応用(ポスター講演,学生・若手研究会) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | CMOS-Based Nonvolatile Flip-Flop Design and its Application to a Fractional-N PLL Frequency Synthesizer |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 不揮発メモリ / Nonvolatile memory |
キーワード(2)(和/英) | アナログ回路補正 / Analog circuit calibration |
キーワード(3)(和/英) | Fractional-N PLLシンセサイザー / Fractional-N PLL frequency synthesizer |
キーワード(4)(和/英) | 低消費電力化 / low energy |
第 1 著者 氏名(和/英) | 王 戈 / Ge WANG |
第 1 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 Tohoku University |
第 2 著者 氏名(和/英) | イ ジョンギュウ / Jungyu LEE |
第 2 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 Tohoku University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 桝井 昇一 / Shoichi MASUI |
第 3 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 Tohoku University |
発表年月日 | 2010-12-16 |
資料番号 | ICD2010-100 |
巻番号(vol) | vol.110 |
号番号(no) | 344 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |