| 講演名 | 2010-12-16 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会) 樋口 和英, 福田 真由美, 田中丸 周平, 竹内 健, |
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| 抄録(和) | 本報告では不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリを統合したSSD(ソリッドステートドライブ)用の適応的誤り訂正符号(ECC)を提案する.このSSDにおいてRRAM(抵抗変化型RAM)やPRAM(相変化型RAM),MRAM(磁気抵抗型RAM)などの高速な不揮発性RAMを書き込みバッファとして使用する.不揮発性RAMはNANDフラッシュメモリとSSD用のインターフェースにおける転送速度の差を補償する.不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリにおいて発生した誤りは効率的に誤り訂正回路で補償される.また,不揮発性RAMを書き込みバッファに使うことで10Gbpsの転送速度を実現し,且っ消費電力を抑える手法を示す. |
| 抄録(英) | In this paper, we propose the adaptive codeword ECC (Error Correcting Code) for NV-RAM (Non Volatile RAM) and NAND flash memory integrated SSD (Solid-State Drive) to improve the memory cell reliability. In the proposed SSD, NV-RAM such as RRAM, PRAM and MRAM is used as write buffers. The NV-RAM write buffer compensates the performance gap between the NAND flash memory and the SSD interface. Errors of NV-RAM and NAND are most efficiently corrected and reliability improves through error correcting circuit without area overhead. By using NV-RAM as write buffers, the 10Gbps write is achieved with a significant power reduction. |
| キーワード(和) | フラッシュメモリ / 不揮発性RAM / SSD / ECC |
| キーワード(英) | Flash memory / SSD / Nonvolatile RAM / ECC |
| 資料番号 | ICD2010-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2010/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Error Rate Compensation Architecture and ECC for SSDs with NV-RAM and NAND Flash |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性RAM / SSD |
| キーワード(3)（和/英） | SSD / Nonvolatile RAM |
| キーワード(4)（和/英） | ECC / ECC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 樋口 和英 / Kazuhide HIGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 真由美 / Mayumi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中丸 周平 / Shuhei TANAKAMARU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2010-12-16 |
| 資料番号 | ICD2010-99 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 344 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |