講演名 2011-01-28
InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
名田 允洋, 村本 好史, 横山 春喜, 重川 直輝, 児玉 聡,
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抄録(和) アバランシェフォトダイオード(APD)は,一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし,信頼性を確保するため,素子内部にのみ電界を閉じ込める構造が必要である.これを実現するために,これまでにイオン注入や選択拡散など,複雑な作製工程を必要とする構造が提案されている.我々は,より簡易なプロセスでこの電界閉じ込めを実現可能な新構造のAPDを考案し,作製した素子で高い電界閉じ込め効果を確認するとともに,従来素子と比較して遜色ない特性を得た.
抄録(英) Due to higher voltage operation than that of conventional photodiodes (PDs), electrical field need to be confined inside the device for highly reliable avalanche photodiodes (APDs). To improve their reliability, several device structures with using selective diffusion or ion implantation techniques have been demonstrated. However, they make their fabrication processes complex. This paper describes a new structure of APD that highly confines electric field inside the device, which is fabricated by simpler processes. Fabricated APD has comparable characteristics to the conventional APDs.
キーワード(和) アバランシェフォトダイオード / ガードリングフリー / メサ構造 / 高増倍率動作
キーワード(英) Avalanche photodiode / guard-ring free / mesa structure / high-gain operation
資料番号 PN2010-44,OPE2010-157,LQE2010-142
発行日

研究会情報
研究会 PN
開催期間 2011/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Photonic Network (PN)
本文の言語 JPN
タイトル(和) InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-gain operation of avalanche photodiode with InP/InGaAs new structures
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) アバランシェフォトダイオード / Avalanche photodiode
キーワード(2)(和/英) ガードリングフリー / guard-ring free
キーワード(3)(和/英) メサ構造 / mesa structure
キーワード(4)(和/英) 高増倍率動作 / high-gain operation
第 1 著者 氏名(和/英) 名田 允洋 / Masahiro NADA
第 1 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 村本 好史 / Yoshifumi MURAMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 横山 春喜 / Haruki YOKOYAMA
第 3 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA
第 4 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 児玉 聡 / Satoshi KODAMA
第 5 著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation
発表年月日 2011-01-28
資料番号 PN2010-44,OPE2010-157,LQE2010-142
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 394
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日