講演名 | 2011-01-28 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) 大和屋 武, 斎藤 健, 森田 佳道, 石村 栄太郎, 綿谷 力, 島 顕洋, |
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抄録(和) | 引張り歪非対称量子井戸を持つ1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積LDを実現し、優れた帯域と変調特性を得た。25.8Gb/sでチップ端OMA6.8dBm、消光比8.3dB、Ethemetマスクマージン50%の良好な特性が得られ、10km伝送後も明瞭なアイ開口を確認した。また、43.0Gb/sでもチップ端出力5.0dBm、消光比9.2dB、SONETマスクマージン13%、40km伝送ペナルティ-0.5dBの良好な特性が得られ、100Gイーサネット及び40Gb/s-10/40km用途に有望であることが示された。 |
抄録(英) | We developed 1.3μm 25/40Gb/s EMLs with tensile strained asymmetric QWs which showed superior response and modulation characteristic. Good characteristics of chip OMA (6.8dBm), extinction ratio (8.3dB) and ethernet mask margin (50%) were obtained at 25.8Gb/s. Also, clear eye-opening at 10km transmission was also achieved. In addition, excellent characteristics of chip power (5.0dBm), extinction ratio (9.2dB), SONET mask margin (13%) and 40km transmission penalty (-0.5dB) were obtained at 43.0Gb/s. From these results, our device is expected to be used in 100Gb/s ethernet and 40Gb/s-10/40km transmissions. |
キーワード(和) | EML / EA変調器 / 25G / 40G / 100Gイーサネット / 1.3μm / 引張り歪非対称QW |
キーワード(英) | EML / EA modulator / 25G / 40G / 100G ethernet / 1.3μm / tensile strained asymmetric QW |
資料番号 | PN2010-40,OPE2010-153,LQE2010-138 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | PN |
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開催期間 | 2011/1/20(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Photonic Network (PN) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 1.3μm 25/40Gb/s EAM integrated DFB-LD |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | EML / EML |
キーワード(2)(和/英) | EA変調器 / EA modulator |
キーワード(3)(和/英) | 25G / 25G |
キーワード(4)(和/英) | 40G / 40G |
キーワード(5)(和/英) | 100Gイーサネット / 100G ethernet |
キーワード(6)(和/英) | 1.3μm / 1.3μm |
キーワード(7)(和/英) | 引張り歪非対称QW / tensile strained asymmetric QW |
第 1 著者 氏名(和/英) | 大和屋 武 / Takeshi YAMATOYA |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 斎藤 健 / Takeshi SAITO |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 森田 佳道 / Yoshimichi MORITA |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 石村 栄太郎 / Eitaro ISHIMURA |
第 4 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 綿谷 力 / Chikara WATATANI |
第 5 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 島 顕洋 / Akihiro SHIMA |
第 6 著者 所属(和/英) | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
発表年月日 | 2011-01-28 |
資料番号 | PN2010-40,OPE2010-153,LQE2010-138 |
巻番号(vol) | vol.110 |
号番号(no) | 394 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |