講演名 2011-01-28
1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
大和屋 武, 斎藤 健, 森田 佳道, 石村 栄太郎, 綿谷 力, 島 顕洋,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 引張り歪非対称量子井戸を持つ1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積LDを実現し、優れた帯域と変調特性を得た。25.8Gb/sでチップ端OMA6.8dBm、消光比8.3dB、Ethemetマスクマージン50%の良好な特性が得られ、10km伝送後も明瞭なアイ開口を確認した。また、43.0Gb/sでもチップ端出力5.0dBm、消光比9.2dB、SONETマスクマージン13%、40km伝送ペナルティ-0.5dBの良好な特性が得られ、100Gイーサネット及び40Gb/s-10/40km用途に有望であることが示された。
抄録(英) We developed 1.3μm 25/40Gb/s EMLs with tensile strained asymmetric QWs which showed superior response and modulation characteristic. Good characteristics of chip OMA (6.8dBm), extinction ratio (8.3dB) and ethernet mask margin (50%) were obtained at 25.8Gb/s. Also, clear eye-opening at 10km transmission was also achieved. In addition, excellent characteristics of chip power (5.0dBm), extinction ratio (9.2dB), SONET mask margin (13%) and 40km transmission penalty (-0.5dB) were obtained at 43.0Gb/s. From these results, our device is expected to be used in 100Gb/s ethernet and 40Gb/s-10/40km transmissions.
キーワード(和) EML / EA変調器 / 25G / 40G / 100Gイーサネット / 1.3μm / 引張り歪非対称QW
キーワード(英) EML / EA modulator / 25G / 40G / 100G ethernet / 1.3μm / tensile strained asymmetric QW
資料番号 PN2010-40,OPE2010-153,LQE2010-138
発行日

研究会情報
研究会 PN
開催期間 2011/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Photonic Network (PN)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) 1.3μm 25/40Gb/s EAM integrated DFB-LD
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) EML / EML
キーワード(2)(和/英) EA変調器 / EA modulator
キーワード(3)(和/英) 25G / 25G
キーワード(4)(和/英) 40G / 40G
キーワード(5)(和/英) 100Gイーサネット / 100G ethernet
キーワード(6)(和/英) 1.3μm / 1.3μm
キーワード(7)(和/英) 引張り歪非対称QW / tensile strained asymmetric QW
第 1 著者 氏名(和/英) 大和屋 武 / Takeshi YAMATOYA
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 斎藤 健 / Takeshi SAITO
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 森田 佳道 / Yoshimichi MORITA
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 石村 栄太郎 / Eitaro ISHIMURA
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 綿谷 力 / Chikara WATATANI
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 島 顕洋 / Akihiro SHIMA
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
発表年月日 2011-01-28
資料番号 PN2010-40,OPE2010-153,LQE2010-138
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 394
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日