講演名 | 2010-12-10 RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価(信号処理及び一般) 和田 祐也, 池谷 浩和, 高橋 豊, 稲葉 信幸, 桐野 文良, 大竹 充, 二本 正昭, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚≧6nm)を成膜し,X線回折法(XRD)による結晶構造解析を行いFe薄膜がエピタキシャル成長していることを確認した.磁気特性は振動試料型磁力計(VSM)と強磁性共鳴法(FMR)による測定を行った.膜面平行に磁界を印加したVSM測定による磁化曲線はFe[100]方向が磁化容易方向,[110]方向が磁化困難方向であることを示しており,飽和磁化の値はbulkFeとほぼ同じ大きさを持つことが確認された.またFMRにより測定された面内磁気異方性は,bcc Feに対応する4回対称であり,FMRの共鳴線幅から求めたダンピング定数は極めて小さい値を示した. |
抄録(英) | Fe thin films, down to 6 nm thick, were prepared on GaAs(001) substrates by RF magnetron sputtering. The x-ray diffraction (XRD) analyses show that the epitaxial thin films of Fe(001) were grown with cube-on-cube orientation on GaAs(00l). Magnetic properties were investigated by vibrating sample magnetometry (VSM) and ferromagnetic resonance (FMR) spectroscopy. The magnetization curves obtained by applying in-plane magnetic fields indicate that easy (hard) direction is along [100] ([110]) and the saturation magnetization is close to the bulk values. The in-plane magnetic amsotropy measured by FMR shows four-fold symmetry, as expected for bcc Fe. The Gilbert damping coefficient, derived from the experimental linewidths of FMR, is small and independent of the direction of applied field. |
キーワード(和) | Fe薄膜 / GaAs / RFマグネトロンスパッタリング / 強磁性共鳴 / ダンピング定数 |
キーワード(英) | Fe thin film / GaAs / RF magnetron sputtering / Ferromagnetic resonance / Gilbert damping constant |
資料番号 | MR2010-50 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | MR |
---|---|
開催期間 | 2010/12/2(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価(信号処理及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Crystal Structures and Magnetic Properties of Fe(001) Thin Films on GaAs(001) Deposited by RF Magnetron Sputtering |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Fe薄膜 / Fe thin film |
キーワード(2)(和/英) | GaAs / GaAs |
キーワード(3)(和/英) | RFマグネトロンスパッタリング / RF magnetron sputtering |
キーワード(4)(和/英) | 強磁性共鳴 / Ferromagnetic resonance |
キーワード(5)(和/英) | ダンピング定数 / Gilbert damping constant |
第 1 著者 氏名(和/英) | 和田 祐也 / Yuya WADA |
第 1 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 池谷 浩和 / Hirokazu IKEYA |
第 2 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 高橋 豊 / Yutaka TAKAHASHI |
第 3 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 稲葉 信幸 / Nobuyuki INABA |
第 4 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 桐野 文良 / Fumiyoshi KIRINO |
第 5 著者 所属(和/英) | 東京藝術大学大学院美術研究科 Tokyo National University of Fine Arts and Music |
第 6 著者 氏名(和/英) | 大竹 充 / Mitsuru OHTAKE |
第 6 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Chuo University / |
第 7 著者 氏名(和/英) | 二本 正昭 / Masaaki FUTAMOTO |
第 7 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学部 |
発表年月日 | 2010-12-10 |
資料番号 | MR2010-50 |
巻番号(vol) | vol.110 |
号番号(no) | 329 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |