| 講演名 | 2010-11-12 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス) 岡田 政也, 斎藤 雄, 横山 満徳, 中田 健, 八重樫 誠司, 片山 浩二, 上野 昌紀, 木山 誠, 勝山 造, 中村 孝夫, 上野 昌紀, 木山 誠, 勝山 造, 中村 孝夫, |
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| 抄録(和) | 再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field-Effect Transistor (HFET)を開発した.縦型HFETの特性オン抵抗は7.6mΩcm^2,しきい値電圧は-1.1V,耐圧は672Vであった.これらの値は,これまで報告のあったGaN系縦型トランジスタを上回る性能指数となる.さらに,AlGaN膜厚の最適化によりノーマリオフ動作が可能であることを確認した. |
| 抄録(英) | A novel vertical heterojunction field-effect transistors (VHFETs) with re-grown AlGaN/GaN two-dimensional electron gas channels on low dislocation density free-standing GaN substrates have been developed. The VHFETs exhibit a specific on-resistance of 7.6 mΩcm^2 at a threshold voltage of -1.1 V and a breakdown voltage of 672 V. The breakdown voltage and the figure of merit are the highest among those of the GaN-based vertical transistors ever reported. It was also demonstrated that the threshold voltage can be controlled by the thickness of A1GaN layers and a normally-off operation is achieved. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN基板 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN substrate |
| 資料番号 | ED2010-157,CPM2010-123,LQE2010-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vertical Heterojunction Field-Effect Transistors on Low Dislocation Density GaN Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | heterojunction field-effect transistor / heterojunction field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 政也 / Masaya Okada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斎藤 雄 / Yu Saitoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横山 満徳 / Mitsunori Yokoyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中田 健 / Ken Nakata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八重樫 誠司 / Seiji Yaegassi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 片山 浩二 / Koji Katayama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上野 昌紀 / Masaki Ueno |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 木山 誠 / Makoto Kiyama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 勝山 造 / Tukuru Katsuyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 中村 孝夫 / Takao Nakamura |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 上野 昌紀 / Masaki Ueno |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 木山 誠 / Makoto Kiyama |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 勝山 造 / Tukuru Katsuyama |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 中村 孝夫 / Takao Nakamura |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 発表年月日 | 2010-11-12 |
| 資料番号 | ED2010-157,CPM2010-123,LQE2010-113 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 273 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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