| 講演名 | 2010-11-12 GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 堀 祐臣, 原田 脩央, 水江 千帆子, 橋詰 保, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl_2O_3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による絶縁ゲート形成を行い、その界面特性、絶縁特性の評価を行った。Al_2O_3/n-GaN構造において、Al_2O_3膜堆積後の高温熱処理によりAl_2O_3層に微結晶化が生じ、結晶粒界を通じた漏れ電流が著しくなることを明らかにした。この対策として、SiN表面保護膜を用いた「オーミックファースト」プロセスを適用し、漏れ電流の抑制と低界面準位密度を実現した。また、AlGaN/GaN HEMT構造に対し電気化学酸化プロセスを適用することで埋め込み型MOSゲートHEMTを作製し、ゲートリーク電流の抑制とノーマリオフ動作を実現した。 |
| 抄録(英) | We investigated the interface and electrical properties of insulated gates fabricated on GaN and AlGaN/GaN structures using atomic layer deposited Al_2O_3 and electrochemical oxide films. The annealing process at 800℃ brought a large number of microcrystallization regions into the Al_2O_3 layer, causing a marked leakage in the current-voltage characteristics of the Al_2O_3/n-GaN structure. The "ohmic-first" process with a SiN protection layer suppressed leakage current and realized low electronic state densities at the Al_2O_3/n-GaN interface. The electrochemical oxidation process was applied to AlGaN/GaN HEMT structure. The formation of the recessed oxide gate structure realized a low gate leakage current and a normally-off operation. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / Al_2O_3 / MOS / ノーマリオフ |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / Al_2O_3 / MOS / normally-off |
| 資料番号 | ED2010-154,CPM2010-120,LQE2010-110 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of insulated gates on GaN and AlGaN/GaN structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| キーワード(4)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(5)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀 祐臣 / Yujin HORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原田 脩央 / Naohisa HARADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 水江 千帆子 / Chihoko MIZUE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2010-11-12 |
| 資料番号 | ED2010-154,CPM2010-120,LQE2010-110 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 273 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |