講演名 | 2010-11-11 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス) 藤田 浩平, 三宅 秀人, 平松 和政, 乗松 潤, 平山 秀樹, |
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抄録(和) | 深紫外LEDの基板として、周期溝加工したAlN/サファイア基板を用いることによりクラックフリーで低転位密度のAlN厚膜を減圧HVPE法により成長できた。本研究ではELOプロセスによってできるボイドの形成機構の検討を行った。ボイド上端の高さは溝幅と縦/横方向成長速度比(縦横比)に比例するということがわかった。ボイド下端の高さは(溝幅の二乗)/(溝深さ)で定義されるパラメータに比例するということがわかった。また、縦/横比は成長条件により変わり、成長温度が上がる、もしくはV/III比が上がるにつれて縦/横比は上がった。 |
抄録(英) | We have fabricated crack-free thick AlN films with low threading dislocation density (TDD) on trench-patterned AlN/Sapphire substrates for application to deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) by low-pressure hydride vapor phase epitaxy (LP-HVPE). We systematically investigated mechanism of void structure formed by the epitaxial lateral overgrowth (ELO) process. It was found that the height of void-tops was proportional to the groove width and the growth rate ratio of vertical to lateral. And, the height of void-bottoms was proportional to the parameter defined as the square of groove-width devided by the groove-depth. Furthermore, the growth rate ratio of vertical to lateral increased with increasing growth temperature or increasing V/III ratio. |
キーワード(和) | HVPE / AlN / ELO / クラックフリー |
キーワード(英) | HVPE / AlN / ELO / crack-free |
資料番号 | ED2010-147,CPM2010-113,LQE2010-103 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | ELO-AlN on trench-patterned AlN/sapphire by low-pressure HVPE |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | HVPE / HVPE |
キーワード(2)(和/英) | AlN / AlN |
キーワード(3)(和/英) | ELO / ELO |
キーワード(4)(和/英) | クラックフリー / crack-free |
第 1 著者 氏名(和/英) | 藤田 浩平 / Kohei FUJITA |
第 1 著者 所属(和/英) | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
第 2 著者 所属(和/英) | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
第 3 著者 所属(和/英) | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 乗松 潤 / Jyun NORIMATSU |
第 4 著者 所属(和/英) | 理研 RIKEN |
第 5 著者 氏名(和/英) | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
第 5 著者 所属(和/英) | 理研 RIKEN |
発表年月日 | 2010-11-11 |
資料番号 | ED2010-147,CPM2010-113,LQE2010-103 |
巻番号(vol) | vol.110 |
号番号(no) | 273 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |