| 講演名 | 2010-11-11 Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス) 田辺 悟, 西尾 礼, 小林 由貴, 根本 幸祐, 宮本 智之, |
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| 抄録(和) | 今回,MOCVD法を用いて,Si基板上へのGaNP層成長及びInAs系量子ドット成長の基礎特性の検討を行った.Si基板上でのGaNP層成長では3次元成長の抑制及び表面ラフネスの低減を目的に二段階成長,GaInPバッファ層成長を行った.またInAs量子ドットの形成特牲把握のために,成長温度依存牲,InAs供給量依存牲,GaNPバッファ層の窒素組成依存性を検討した. |
| 抄録(英) | In this report, we investigate the basic property of the GaNP layer and the InAs-based quantum dots grown on Si substrate. In the GaNP layer growth on the Si substrate, two step growth method and strain GaInP buffer layer was introduced to suppress the 3D growth and decrease the surface roughness. Moreover, we investigated the the growth temperature dependency, the InAs supply dependency, and the nitrogen composition in the GaNP buffer layer dependency to clarify the InAs formation characteristic. |
| キーワード(和) | Si / GaNP / InAs / 量子ドット / 有機金属気相成長法 |
| キーワード(英) | Si / GaNP / InAs / Quantum dots / MOCVD |
| 資料番号 | ED2010-145,CPM2010-111,LQE2010-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth characteristics of GaNP layer and InAs-based QDs on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | GaNP / GaNP |
| キーワード(3)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(4)（和/英） | 量子ドット / Quantum dots |
| キーワード(5)（和/英） | 有機金属気相成長法 / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 悟 / Satoru Tanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西尾 礼 / Rei Nishio |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 由貴 / Yoshitaka Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 根本 幸祐 / Kosuke Nemoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-11-11 |
| 資料番号 | ED2010-145,CPM2010-111,LQE2010-101 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 273 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |