| 講演名 | 2010-11-12 パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般) 大嶋 優記, 金 英輝, 間中 孝彰, 岩本 光正, |
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| 抄録(和) | テトラセン電界効果トランジスタ(FET)に対して、パルス電圧を印加した際に観測されるエレクトロルミネッセンス(EL)の発光メカニズムを明らかにするため、電界誘起光第2次高調波発生(EFISHG)を利用した電界観測を行った。測定結果から、材料内に蓄積された正孔が形成する電界によって電子が自発的に材料内に注入されるため、これらが蓄積している正孔と再結合し、ELが観測されることを明らかにした。また、このような電界観測技術を利用することで、材料内に残留しているトラップ電荷の詳細を明らかにすることも可能であり、FET内でのキャリア挙動を詳細に解析できることを示した。 |
| 抄録(英) | By using electric field induced optical second harmonic generation (EFISHG), we clarified the mechanism of electroluminescence (EL) from tetracene field-effect transistor under a pulse voltage application. The results indicate that the electric field formed by accumulated holes made electrons be injected from metal electrode and the injected electrons recombined with accumulated holes leading to the EL emission. We also clarified the details of trapped hole behavior by using EFISHG measurement. This technique is useful to understand carrier behavior leading to EL. |
| キーワード(和) | テトラセン / 有機電界効果トランジスタ / エレクトロルミネッセンス / 電界誘起光第2次高調波発生 |
| キーワード(英) | tetracene / organic field-effect transistor / electroluminescence / electric field induced optical second harmonic generation |
| 資料番号 | OME2010-55,OPE2010-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2010/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | パルス電圧印加によるテトラセン電界効果トランジスタ内の電界発光メカニズム(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mechanism of electroluminescence in tetracene field-effect transistor under a pulse voltage application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テトラセン / tetracene |
| キーワード(2)（和/英） | 有機電界効果トランジスタ / organic field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 電界誘起光第2次高調波発生 / electric field induced optical second harmonic generation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大嶋 優記 / Yuki OHSHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金 英輝 / Hideki KOHN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 間中 孝彰 / Takaaki MANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩本 光正 / Mitsumasa IWAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-11-12 |
| 資料番号 | OME2010-55,OPE2010-125 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |