講演名 | 2010-11-12 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス) 岡田 政也, 斎藤 雄, 横山 満徳, 中田 健, 八重樫 誠司, 片山 浩二, 上野 昌紀, 木山 誠, 勝山 造, 中村 孝夫, |
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抄録(和) | 再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field-Effect Transistor(HFET)を開発した.縦型HFETの特性オン抵抗は7.6mΩcm^2,しきい値電圧は-1.1V,耐圧は672Vであった.これらの値は,これまで報告のあったGaN系縦型トランジスタを上回る性能指数となる.さらに,AlGaN膜厚の最適化によりノーマリオフ動作が可能であることを確認した. |
抄録(英) | A novel vertical heterojunction field-effect transistors (VHFETs) with re-grown AlGaN/GaN two-dimensional electron gas channels on low dislocation density free-standing GaN substrates have been developed. The VHFETs exhibit a specific on-resistance of 7.6 mΩcm^2 at a threshold voltage of -1.1 V and a breakdown voltage of 672 V. The breakdown voltage and the figure of merit are the highest among those of the GaN-based vertical transistors ever reported. It was also demonstrated that the threshold voltage can be controlled by the thickness of AlGaN layers and a normally-off operation is achieved. |
キーワード(和) | AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN基板 |
キーワード(英) | AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN substrate |
資料番号 | ED2010-157,CPM2010-123,LQE2010-113 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Vertical Heterojunction Field-Effect Transistors on Low Dislocation Density GaN Substrates |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
キーワード(2)(和/英) | heterojunction field-effect transistor / heterojunction field-effect transistor |
キーワード(3)(和/英) | GaN基板 / GaN substrate |
第 1 著者 氏名(和/英) | 岡田 政也 / Masaya Okada |
第 1 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 斎藤 雄 / Yu Saitoh |
第 2 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 横山 満徳 / Mitsunori Yokoyama |
第 3 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 中田 健 / Ken Nakata |
第 4 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 八重樫 誠司 / Seiji Yaegassi |
第 5 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 片山 浩二 / Koji Katayama |
第 6 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 上野 昌紀 / Masaki Ueno |
第 7 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 木山 誠 / Makoto Kiyama |
第 8 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 9 著者 氏名(和/英) | 勝山 造 / Tukuru Katsuyama |
第 9 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 10 著者 氏名(和/英) | 中村 孝夫 / Takao Nakamura |
第 10 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社 Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
発表年月日 | 2010-11-12 |
資料番号 | ED2010-157,CPM2010-123,LQE2010-113 |
巻番号(vol) | vol.110 |
号番号(no) | 272 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |