| 講演名 | 2010-11-12 GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス) 八木 修一, 平田 祥子, 住田 行常, 別所 公博, 河合 弘治, 松枝 敏晴, 碓井 彰, |
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| 抄録(和) | 2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイオード(SBD)を作成し特性評価を行った。使用したGaN自立基板の特性は、基板の厚さは400μm、比抵抗は≦2×10^<-2>Ωcmである。エピタキシャル成長したn^-GaNの厚さは7μm、キャリア濃度は8×10^<15>cm^<-3>である。作成したフィールドプレート構造を持たないSBDのDC特性として、特性オン抵抗(R_ |
| 抄録(英) | We report the fabrication of schottky barrier diode (SBD) on GaN free-standing substrate. SBDs showed good DC operating characteristics. The breakdown voltage and the specific on-resistance (R_ |
| キーワード(和) | GaN / SBD / 自立基板 / 電流コラプス |
| キーワード(英) | GaN / SBD / GaN free-standing substrate / Current collapse |
| 資料番号 | ED2010-156,CPM2010-122,LQE2010-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vertical GaN Diode on GaN Free-Standing Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SBD / SBD |
| キーワード(3)（和/英） | 自立基板 / GaN free-standing substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 八木 修一 / Shuichi YAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック POWDEC. K. K. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平田 祥子 / Shoko HIRATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック POWDEC. K. K. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 住田 行常 / Yasunobu SUMIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック POWDEC. K. K. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 別所 公博 / Masahiro BESSHO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック POWDEC. K. K. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 河合 弘治 / Hiroji KAWAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック POWDEC. K. K. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松枝 敏晴 / Toshiharu MATSUEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductors Department, R&D Division, Furukawa Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 碓井 彰 / Akira USUI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室 Nitride Semiconductors Department, R&D Division, Furukawa Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2010-11-12 |
| 資料番号 | ED2010-156,CPM2010-122,LQE2010-112 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |