| 講演名 | 2010-11-12 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 菊田 大悟, 成田 哲生, 高橋 直子, 片岡 恵太, 木本 康司, 上杉 勉, 加地 徹, 杉本 雅裕, |
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| 抄録(和) | p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を用いて評価した。光電子の取り出し角を変化させることで異なる深さからの光電子の情報を検出し、p型GaN表面付近のバンド曲がりを解析した。その結果、ドライエッチングを施したp型GaN表面には1～2×10^<20>cm^<-3>のドナー性欠陥が導入され、ICPドライエッチング時のバイアスパワーを大きくすることで、結晶奥深く(5～8nm)まで欠陥が入ることが示された。 |
| 抄録(英) | We carried out nondestructive measurements of the depth profile of etching-induced damage in p-GaN, in particular surface band bending, using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (HAX-PES). HAX-PES at different take-off angles of photoelectrons made it clear that etching by inductively-coupled plasma (ICP) introduced donor-like states in a surface layer of GaN. We were able to quantitatively analyze band bending and charge distribution in an etched p-GaN. The analysis results indicated the existence of deep donors with a concentration of 1-2×10^<20> cm^<-3> in a surface layer whose thickness increased with increasing a bias power of ICP. |
| キーワード(和) | GaN / 硬X線光電子分光 / ドライエッチング / エッチングダメージ / 誘導結合プラズマ |
| キーワード(英) | GaN / Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (HAX-PES) / dry etching / etching-induced damage / inductively-coupled plasma |
| 資料番号 | ED2010-155,CPM2010-121,LQE2010-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of etching-induced damage in p-type GaN by hard X-ray photoelectron spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 硬X線光電子分光 / Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (HAX-PES) |
| キーワード(3)（和/英） | ドライエッチング / dry etching |
| キーワード(4)（和/英） | エッチングダメージ / etching-induced damage |
| キーワード(5)（和/英） | 誘導結合プラズマ / inductively-coupled plasma |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊田 大悟 / Daigo KIKUTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 成田 哲生 / Tetsuo NARITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 直子 / Naoko TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 片岡 恵太 / Keita KATAOKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木本 康司 / Yasuji KIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上杉 勉 / Tsutomu UESUGI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu KACHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 杉本 雅裕 / Masahiro SUGIMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | トヨタ自動車 Toyota Motor Corporation |
| 発表年月日 | 2010-11-12 |
| 資料番号 | ED2010-155,CPM2010-121,LQE2010-111 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |