| 講演名 | 2010-11-11 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 大井 幸多, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し,評価を行った.DC特性の結果から,実効ゲート幅がプレーナ型HEMTの半分程度であるにもかかわらず,線形特性の改善やgmの向上が確認された.また,MMC HEMTにおいて優れた電流安定性が得られた.さらに,電流コラプス評価を行ったところ,MMC HEMTはプレーナ型HEMTに比べて,電流コラプスの影響が小さかった.理由として,高インピーダンスチャネルを有するため相対的にアクセス抵抗が低く,アクセス領域の変化に対して影響が小さいことがあげられる. |
| 抄録(英) | We proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC) AlGaN/GaN HEMT. By forming a periodic trench, the MMC HEMT has parallel mesa-shaped channels with two-dimensional electron gas (2DEG) surrounded by the gate electrode. The MMC HEMT exhibited a steeper I_ |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 多重台形チャネル(MMC)構造 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / High Electron Mobility Transistor (HEMT) / Multi-Mesa-Channel (MMC) structure |
| 資料番号 | ED2010-152,CPM2010-118,LQE2010-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current control of AlGaN/GaN HEMT with multi-mesa nanochannels |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / High Electron Mobility Transistor (HEMT) |
| キーワード(4)（和/英） | 多重台形チャネル(MMC)構造 / Multi-Mesa-Channel (MMC) structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大井 幸多 / Kota OHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター:JST-CREST Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2010-11-11 |
| 資料番号 | ED2010-152,CPM2010-118,LQE2010-108 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |