| 講演名 | 2010-11-11 AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス) 酒井 佑輔, 市川 淳規, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | AlNテンプレート上にMOCVD成長させたAlInN/GaN構造の評価を行い、ショットキー型紫外線受光素子を試作した。AlInNの成長条件を検討した結果、急峻な界面および良好な表面モフォロジーを持つAlInN/GaN構造が得られた。また、サファイア上に成長させたAlInN/GaN構造と比較したところ、AlNテンプレート上のものは優れた構造特性を持つことがわかった。AlNテンプレート上に試作した受光素子は良好な受光感度特性を示し、量子効率としては10%以上が得られた。これは、サファイア基板上のものよりも高効率であった。今後は、AlNテンプレート上へのAlInN/GaN構造の最適化を進めることで更なる高効率化の実現を目指す。 |
| 抄録(英) | We characterize AlInN/GaN structures on AlN templates grown by metal organic chemical vapor deposition and demonstrate Schottky AlInN ultraviolet photodiodes. AlInN growth parameters were investigated, resulting in AlInN/GaN structures with both smooth interface and good surface morphology. Moreover, compared to AlInN/GaN structures on sapphires, those on AlN templates are found to have better structural properties. Fabricated photodiodes on AlN templates show the good responsivity, corresponding to more than 10 % as quantum efficiency. This value is higher than that of photodiodes on sapphires. Optimized AlInN/GaN structure on AlN template is a promising candidate for realizing high-efficiency ultraviolet photodiode. |
| キーワード(和) | AlInN / 受光素子 / AlNテンプレート / MOCVD |
| キーワード(英) | AlInN / Photodiode / AlN Template / MOCVD |
| 資料番号 | ED2010-151,CPM2010-117,LQE2010-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficiency AlInN Ultraviolet Photodiodes on AlN Templates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlInN / AlInN |
| キーワード(2)（和/英） | 受光素子 / Photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | AlNテンプレート / AlN Template |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 佑輔 / Yusuke SAKAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市川 淳規 / Junki ICHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-11-11 |
| 資料番号 | ED2010-151,CPM2010-117,LQE2010-107 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |