| 講演名 | 2010-11-11 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス) 大音 隆男, / 片岡 研, 船戸 充, 川上 養一, |
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| 抄録(和) | AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である.その物理的原因として,p型のホール密度が原理的に低いことなどが指摘されている.そこで,解決が困難なp型に起因する問題を回避し,高出力かつ高効率な深紫外発光を得るために,高品質な高Al組成AlGaN/AlN多重量子井戸の電子線励起を提案し,実証実験を行った.電子銃の条件と量子井戸構造を最適化することにより,波長約240nmにおいて,最大100mWの深紫外光出力と最大40%のパワー効率の達成に成功した. |
| 抄録(英) | The external quantum efficiencies of AlGaN-based deep ultraviolet light emitting diodes are less than 5%, due to the causes such as low hole concentration in p-type AlGaN. To avoid problems associated with p-type AlGaN and to obtain the deep ultraviolet emission with high power and efficiency, high-quality Al-rich AlGaN/AlN quantum wells were pumped by an electron beam. An output of 100 mW and a power efficiency of 40% have been achieved at a wavelength of about 240 nm by optimizing both the electron beam condition and the quantum well structure. |
| キーワード(和) | 電子線励起 / 深紫外光源 / AlGaN/AlN量子井戸 |
| キーワード(英) | electron beam pumping / deep ultraviolet light source / AlGaN/AlN quantum well |
| 資料番号 | ED2010-150,CPM2010-116,LQE2010-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 100 mW Deep Ultraviolet Emission from AlGaN/AlN Quantum Wells by Electron Beam Pumping |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電子線励起 / electron beam pumping |
| キーワード(2)（和/英） | 深紫外光源 / deep ultraviolet light source |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN/AlN量子井戸 / AlGaN/AlN quantum well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大音 隆男 / Takao OTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Dept. of Electronic Sci. and Eng., Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 片岡 研 / Ryan G. BANAL |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Dept. of Electronic Sci. and Eng., Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Ken KATAOKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ウシオ電機固体光源開発室 SSLS Development Dept., Ushio Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Mitsuru FUNATO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科 Dept. of Electronic Sci. and Eng., Kyoto University |
| 発表年月日 | 2010-11-11 |
| 資料番号 | ED2010-150,CPM2010-116,LQE2010-106 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |