| 講演名 | 2010-11-11 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス) 藤田 浩平, 三宅 秀人, 平松 和政, 乗松 潤, 平山 秀樹, |
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| 抄録(和) | 深紫外LEDの基板として、周期溝加工したAlN/サファイア基板を用いることによりクラックフリーで低転位密度のAlN厚膜を減圧HVPE法により成長できた。本研究ではELOプロセスによってできるボイドの形成機構の検討を行った。ボイド上端の高さは溝幅と縦/横方向成長速度比(縦/横比)に比例するということがわかった。ボイド下端の高さは(溝幅の二乗)/(溝深さ)で定義されるパラメータに比例するということがわかった。また、縦/横比は成長条件により変わり、成長温度が上がる、もしくはV/III比が上がるにつれて縦/横比は上がった。 |
| 抄録(英) | We have fabricated crack-free thick AlN films with low threading dislocation density (TDD) on trench-patterned AlN/Sapphire substrates for application to deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) by low-pressure hydride vapor phase epitaxy (LP-HVPE). We systematically investigated mechanism of void structure formed by the epitaxial lateral overgrowth (ELO) process. It was found that the height of void-tops was proportional to the groove width and the growth rate ratio of vertical to lateral. And, the height of void-bottoms was proportional to the parameter defined as the square of groove-width devided by the groove-depth. Furthermore, the growth rate ratio of vertical to lateral increased with increasing growth temperature or increasing V/III ratio. |
| キーワード(和) | HVPE / AlN / ELO / クラックフリー |
| キーワード(英) | HVPE / AlN / ELO / crack-free |
| 資料番号 | ED2010-147,CPM2010-113,LQE2010-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ELO-AlN on trench-patterned AlN/sapphire by low-pressure HVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | ELO / ELO |
| キーワード(4)（和/英） | クラックフリー / crack-free |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤田 浩平 / Kohei FUJITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 乗松 潤 / Jyun NORIMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 理研 RIKEN |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 理研 RIKEN |
| 発表年月日 | 2010-11-11 |
| 資料番号 | ED2010-147,CPM2010-113,LQE2010-103 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |