| 講演名 | 2010-11-11 SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) 奥村 建太, 野村 拓也, 三宅 秀人, 平松 和政, 江龍 修, |
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| 抄録(和) | 6H-SiC上へのAlN成長は厚膜化するに従い、クラック・剥離につながるということが分かった。そこで本研究ではクラック低減のための方法としてSiC基板に溝構造の加工を行った。また、比較として方位の異なる2種類の基板を用いてHVPE法によりAlNの厚膜成長を行った。基板の方位はそれぞれ<1-100>、<11-20>に沿ってストライプ加工を施したものを用意した。<1-100>方向の加工基板の方が<11-20>方向のものよりも表面平坦性、結晶性において優れたAlN厚膜が得られた。 |
| 抄録(英) | AlN films were grown on 6H-SiC. As the thickness of AlN layer increased, crack and peeling occurred, which was considered to be due to the difference in thermal expansion between the AlN layer and substrate. The patterned substrates are able to relax the stress incurred by AlN. Therefore AlN films were grown on patterned SiC with stripes along the <1-100> and <11-20> directions by hydride vapor phase epitaxy and characterized by scanning electron microscope, atomic force microscopy and high-resolution X-ray diffraction. Although the critical thickness of AlN can be increased significantly using both patterns, AlN grown on <1-100>-patterned SiC was more easily coalesced than that on the <11-20> pattern. Moreover, the surface morphology and crystal quality of samples grown on <1-100>-patterned SiC were better than those on <11-20>-patterned substrates. |
| キーワード(和) | AlN / 6H-SiC / 溝加工 / HVPE |
| キーワード(英) | AlN / 6H-SiC / trench-pattern / HVPE |
| 資料番号 | ED2010-146,CPM2010-112,LQE2010-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlN growth on SiC by LP-HVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 6H-SiC / 6H-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 溝加工 / trench-pattern |
| キーワード(4)（和/英） | HVPE / HVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奥村 建太 / Kenta OKUMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate school of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野村 拓也 / Takuya NOMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate school of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate school of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Graduate school of Engineering, Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江龍 修 / Osamu ERYUU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2010-11-11 |
| 資料番号 | ED2010-146,CPM2010-112,LQE2010-102 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |