| 講演名 | 2010-11-11 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) 本田 徹, 林 才人, 後藤 大雅, 井垣 辰浩, |
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| 抄録(和) | GaN系低コスト集積化発光素子の実現は小型フラットパネルディスプレイの高輝度化の点から注目されている.集積密度向上のためには,各素子に対する電極配置は、縦型が望ましい.このような観点から、サファイア基板上に形成した疑似Al基板上にMBE法によるGaN薄膜製作検討を行った結果について報告する.サファイア基板上に疑似Al基板を基板温度200℃程度でエピタキシャル成長により形成した.表面窒化によりAlNを350℃にて形成後GaNの成長を行った結果,良好なGaN薄膜の形成が可能であることがわかった. |
| 抄録(英) | Fabrication of integrated light-emitting devices based on GaN requires a vertical carrier injection. In the case, GaN growth on metal substrates is one of the solutions. Epitaxial growth of (111)Al on (0001)sapphire was investigated for the application to pseudo Al substrates for the III-V growth. At the growth temperatures around 200℃, the Epitaxial growth was achieved. Its atomic force microscopy (AFM) images indicated that the surface morphology of the (111)Al layer was smooth compared with that of bulky (111)Al substrates with chemical polishing treatment. The surface nitridation was also investigated. At the temperature of 350℃, streaky RHEED patterns were observed. Those results clarified that the pseudo Al substrates grown by MBE was suitable for the substrates using the III-V growth. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / GaN / Al基板 / MBE |
| キーワード(英) | gallium nitride / GaN / Al substrate / MBE |
| 資料番号 | ED2010-144,CPM2010-110,LQE2010-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2010/11/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Al基板 / Al substrate |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 本田 徹 / Tohru HONDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kogakuin University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 才人 / Masato HAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kogakuin University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 後藤 大雅 / Taiga GOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kogakuin University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井垣 辰浩 / Tatsuhiro IGAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 工学院大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kogakuin University |
| 発表年月日 | 2010-11-11 |
| 資料番号 | ED2010-144,CPM2010-110,LQE2010-100 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | 272 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |