講演名 2010/11/23
TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)
内藤 達也, 石田 達也, 小野塚 健, 西郡 正人, 中山 武雄, 上野 芳弘, 石本 康実, 鈴木 昭弘, 鍾 ウェイ丞, /, 池田 修二, 親松 尚人,
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抄録(和)
抄録(英) Monolithically integrated Thin-Film-Transistor (TFT) SRAM configuration circuits over 90nm 9 layers of Cu interconnect CMOS is successfully fabricated at 300mm LSI mass production line for 3-dimensional Field Programmable Gate Arrays (3D-FPGA). This novel technology built over the 9th layer of Cu metal features aggressively scaled amorphous Si TFT having 180nm transistor gate length, 20nm gate oxide, fully silicided gate, S/D, all below 400C processing essential to not impact underlying Cu interconnects. Low temperature TFT devices show excellent NTFT/PTFT transistor lon/loff ratios over 2000/100 respectively, operate at 3.3V, E-field scalable, and are stable for SRAM configuration circuits. We believe this 3D-TFT technology is a major breakthrough innovation to overcome the conventional CMOS device shrinking limitation.
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 RECONF-2010-50
発行日

研究会情報
研究会 RECONF
開催期間 2010/11/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Reconfigurable Systems (RECONF)
本文の言語 JPN
タイトル(和) TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)
サブタイトル(和)
タイトル(英)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 内藤 達也 / / /
第 1 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
第 2 著者 氏名(和/英) 石田 達也 / / /
第 2 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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第 3 著者 氏名(和/英) 小野塚 健 / / /
第 3 著者 所属(和/英) コバレントマテリアル株式会社
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第 4 著者 氏名(和/英) 西郡 正人 / / /
第 4 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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第 5 著者 氏名(和/英) 中山 武雄 / Madurawe Raminda /
第 5 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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第 6 著者 氏名(和/英) 上野 芳弘 / Sheldon Wu
第 6 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
readyASlC Inc.
第 7 著者 氏名(和/英) 石本 康実 / / /
第 7 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
China International Intellectual Property Services Ltd.
第 8 著者 氏名(和/英) 鈴木 昭弘
第 8 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
tei Solutions Inc. /
第 9 著者 氏名(和/英) 鍾 ウェイ丞
第 9 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
第 10 著者 氏名(和/英) /
第 10 著者 所属(和/英) /
第 11 著者 氏名(和/英) 池田 修二
第 11 著者 所属(和/英) / (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
第 12 著者 氏名(和/英) 親松 尚人
第 12 著者 所属(和/英)
発表年月日 2010/11/23
資料番号 RECONF-2010-50
巻番号(vol) vol.110
号番号(no) 319
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日